[发明专利]一种提高发光效率的LED外延片制备方法有效
| 申请号： | 201610277446.8 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN105895751B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 何苗;黄波;陈雪芳;刘翠;郑树文;李述体 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 胡辉 |
| 地址： | 510630 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高发光效率的LED外延片制备方法，包括：在蓝宝石衬底上外延生长缓冲层；在缓冲层上外延生长n型氮化镓层；在n型氮化镓层上外延生长多量子阱层；在多量子阱层上从下至上依次外延生长至少两层隔离层；其中，所述至少两层隔离层的生长温度按所述至少两层隔离层从先到后的外延生长顺序逐渐增大；在最后外延生长的隔离层上外延生长p型氮化镓层。通过使用本发明的LED外延片制备方法不仅能大大提高LED的发光效率，而且还能达到工艺步骤简单、成本低的目的。本发明作为一种提高发光效率的LED外延片制备方法可广泛地应用于LED领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 发光 效率 led 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高发光效率的LED外延片制备方法，其特征在于：该方法包括：A、在蓝宝石衬底上外延生长缓冲层；B、在缓冲层上外延生长n型氮化镓层；C、在n型氮化镓层上外延生长多量子阱层；D、在多量子阱层上从下至上依次外延生长第一隔离层和第二隔离层；其中，所述第二隔离层的生长温度高于第一隔离层的生长温度；E、在最后外延生长的隔离层上外延生长p型氮化镓层；所述第一隔离层的生长温度与多量子阱层中的垒层的生长温度相同；所述第二隔离层的生长温度比第一隔离层的生长温度高20～30℃；所述多量子阱层中垒层的生长温度为830℃；所述p型氮化镓层的生长温度为890～900℃。
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