[发明专利]一种获得大尺寸碳化硅单晶片高加工精度的方法在审
| 申请号： | 201610263328.1 | 申请日： | 2016-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN105734673A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 詹琳 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B33/02;C30B33/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启;张希宇 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种获得大尺寸碳化硅晶片高加工精度的方法，包括：对生长后的碳化硅晶锭进行一次退火，切片后对晶片进行二次退火，双面研磨后对晶片进行三次退火，其中，所述一次退火时所述晶锭的加热温度在400‑2000℃，保持8‑200h后缓慢降至常温；所述二次退火时所述晶片的加热温度在500‑1800℃，保持16‑180h后缓慢降至常温；所述三次退火时所述晶片的加热温度在600‑1600℃，保持16‑180h后缓慢降至常温。尤其是对4英寸及4英寸以上的碳化硅晶片，在晶片切割、研磨、抛光后进一步减小碳化硅晶片表面平整度、翘曲度、弯曲度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 获得 尺寸 碳化硅 晶片 加工 精度 方法 | ||
【主权项】：
一种获得大尺寸碳化硅晶片高加工精度的方法，其特征在于，该方法包括：对生长后的碳化硅晶锭进行一次退火，切片后对晶片进行二次退火，双面研磨后对晶片进行三次退火，其中，所述一次退火时所述晶锭的加热温度在400‑2000℃，保持8‑200h后缓慢降至常温；所述二次退火时所述晶片的加热温度在500‑1800℃，保持16‑180h后缓慢降至常温；所述三次退火时所述晶片的加热温度在600‑1600℃，保持16‑180h后缓慢降至常温。
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