[发明专利]一种可直接涂布的聚烯烃薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610262624.X | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105820365B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 王峰;阳明书;董侠;王笃金;张建伟;赵莹;周勇;张德清 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C08J7/12 | 分类号： | C08J7/12;C08J7/18;C08L23/12;C08L23/06;C08L23/08 |
| 代理公司： | 北京元中知识产权代理有限责任公司11223 | 代理人： | 另婧 |
| 地址： | 100190 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于高分子材料领域，具体地讲，涉及一种可直接涂布的聚烯烃薄膜及其制备方法。所述的聚烯烃薄膜具有一定厚度的接枝层，接枝层中的极性元素含量为20～35wt％，并且该薄膜拥有良好的表面性能。本发明还提供了所述聚烯烃薄膜的制备方法，所述的制备方法包括如下步骤将聚烯烃薄膜表面置于等离子体反应腔中，通入气态极性分子并调整温度和压力，进行低温等离子体处理完成气相接枝反应。由上述方法制备成的可直接涂布的聚烯烃薄膜，具有良好的可印刷性和粘接牢度，且其表面极性可以得到有效保持。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 烯烃 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种可直接涂布的聚烯烃薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)将待处理的聚烯烃薄膜表面进行清洗并晾干备用；(2)将步骤(1)中的聚烯烃薄膜放入低温等离子体反应腔中并抽真空；(3)在步骤(2)结束后，在反应腔中通入极性分子并调整温度和压力，开始进行射频低温等离子体处理，对聚烯烃表面进行气相接枝反应；所述极性分子为气态极性分子和/或可汽化的极性分子，包括：氨气、3‑氨丙基三乙氧基硅烷、硫化氢、氯化氢、3‑氨丙基三甲氧基硅烷、环己胺基丙基三甲氧基硅烷、3‑巯丙基三乙氧基硅烷、3‑巯丙基三丙氧基硅烷、3‑氯丙基三乙氧基硅烷、3‑氯丙基甲基二甲氧基硅烷、3‑氯丙基甲基二乙氧基硅烷、3‑氨丙基二乙氧基硅烷、3‑脲丙基三甲氧基硅烷、3‑氯丙基三甲氧基硅烷中的至少一种。
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