[发明专利]一种可直接涂布的聚烯烃薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种可直接涂布的聚烯烃薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

(1)将待处理的聚烯烃薄膜表面进行清洗并晾干备用；

(2)将步骤(1)中的聚烯烃薄膜放入低温等离子体反应腔中并抽真空；

(3)在步骤(2)结束后，在反应腔中通入极性分子并调整温度和压力，开始进行射频低温等离子体处理，对聚烯烃表面进行气相接枝反应；

所述极性分子为气态极性分子和/或可汽化的极性分子，包括：氨气、3-氨丙基三乙氧基硅烷、硫化氢、氯化氢、3-氨丙基三甲氧基硅烷、环己胺基丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基三丙氧基硅烷、3-氯丙基三乙氧基硅烷、3-氯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-氯丙基甲基二乙氧基硅烷、3-氨丙基二乙氧基硅烷、3-脲丙基三甲氧基硅烷、3-氯丙基三甲氧基硅烷中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚烯烃薄膜包括：低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、线性低密度聚乙烯、聚丙烯中的一种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述射频低温等离子体处理所选用电源的处理功率为100～600W。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述射频低温等离子体处理所选用电源的处理功率为200～600W。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述射频低温等离子体处理所选用电源的处理功率为300～400W。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述气相接枝反应的温度为0～75℃，压力为15～50Pa，时间为2～10min。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述气相接枝反应的温度为20～50℃，压力为35～50Pa，时间为2～5min。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述真空的真空度为10～30Pa。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述真空的真空度为15～30Pa。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述真空的真空度为15～20Pa。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中的极性分子可以用氯气分子代替。

12.一种权利要求1～11任意一项所述制备方法制成的可直接涂布的聚烯烃薄膜，其特征在于，所述的聚烯烃薄膜表面的接枝层厚度为5～80nm。

13.根据权利要求12所述的可直接涂布的聚烯烃薄膜，其特征在于，所述聚烯烃薄膜表面的接枝层中含有的极性元素包括氮元素、氧元素、氯元素、硅元素、硫元素中的至少一种。

14.根据权利要求13所述的可直接涂布的聚烯烃薄膜，其特征在于，所述接枝层中含有的极性元素占接枝层总元素的比例为20～35wt％。

15.根据权利要求12所述的可直接涂布的聚烯烃薄膜，其特征在于，所述的聚烯烃薄膜的临界表面张力为45～55dyne/cm，水接触角为30～60°。