[发明专利]用于半导体装置的沟槽式散热结构有效
| 申请号： | 201610260810.X | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107305874B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 颜孝璁;简育生;叶达勋 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明揭露一种用于半导体装置的沟槽式散热结构，其一实施例包含：一第一半导体基板；一热源，位于该第一半导体基板或属于该第一半导体基板，包含至少一热点；至少一第一热导层；至少一第一热导体，用来连接该至少一热点与该至少一第一热导层；至少一散热沟槽；以及至少一第二热导结构，用来连接该至少一第一热导层与该至少一散热沟槽，藉此将该热源的热传导至该散热沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 装置 沟槽 散热 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体装置的沟槽式散热结构，包含：/n一第一半导体基板；/n一热源，位于该第一半导体基板或属于该第一半导体基板，包含至少一热点；/n至少一第一热导层；/n至少一第一热导体，用来连接该至少一热点与该至少一第一热导层；/n至少一散热沟槽；以及/n至少一第二热导结构，用来连接该至少一第一热导层与该至少一散热沟槽，藉此将该热源的热传导至该散热沟槽；/n其中该至少一散热沟槽形成于一第二半导体基板中，且该至少一第二热导结构包含至少一接合结构、至少一第二热导层与至少一第二热导体，该至少一第二热导层用来经由该至少一接合结构连接该至少一第一热导层，该至少一第二热导体用来连接该至少一第二热导层与该至少一散热沟槽，藉此将该热源的热传导至该散热沟槽。/n
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