[发明专利]用于半导体装置的沟槽式散热结构

权利要求书

1.一种用于半导体装置的沟槽式散热结构，包含：

一第一半导体基板；

一热源，位于该第一半导体基板或属于该第一半导体基板，包含至少一热点；

至少一第一热导层；

至少一第一热导体，用来连接该至少一热点与该至少一第一热导层；

至少一散热沟槽；以及

至少一第二热导结构，用来连接该至少一第一热导层与该至少一散热沟槽，藉此将该热源的热传导至该散热沟槽；

其中该至少一散热沟槽形成于一第二半导体基板中，且该至少一第二热导结构包含至少一接合结构、至少一第二热导层与至少一第二热导体，该至少一第二热导层用来经由该至少一接合结构连接该至少一第一热导层，该至少一第二热导体用来连接该至少一第二热导层与该至少一散热沟槽，藉此将该热源的热传导至该散热沟槽。

2.根据权利要求1所述的沟槽式散热结构，其中该热源包含一电晶体，该至少一热点包含一源极、一汲极以及一闸极的至少其中之一，且该至少一散热沟槽处于一电性浮接(floating)状态。

3.根据权利要求2所述的沟槽式散热结构，其中该电晶体的尺寸符合55奈米以下的半导体制程规范。

4.根据权利要求1所述的沟槽式散热结构，其中该至少一热点包含该第一半导体基板的至少一接取点(pickup)。

5.根据权利要求1所述的沟槽式散热结构，其中该至少一散热沟槽包含至少一沟槽热导体与至少一绝缘层，该至少一绝缘层隔离该至少一沟槽热导体与该第二半导体基板。

6.根据权利要求1所述的沟槽式散热结构，其中该至少一散热沟槽贯通该第二半导体基板，且该散热结构进一步包含至少一第三热导体与至少一散热体，该至少一第三热导体用来连接该至少一散热体与该至少一散热沟槽，藉此将该热源的热经由该散热沟槽传导至该至少一散热体。