[发明专利]一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201610255445.3 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105742961B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 徐天鸿;曹俊诚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/22;H01S5/06;H01S5/065 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件及其制作方法，所述器件包括：半绝缘GaAs衬底；位于该衬底上表面的GaAs缓冲层；位于该缓冲层表面的n型重掺杂下接触层；位于该下接触层表面的有源区；位于有源区表面的n型重掺杂上接触层；位于n型重掺杂上接触层表面且各自分隔的第一、第二、第三上电极金属层，第一上电极金属层与第二上电极金属层之间设有凹至GaAs缓冲层的深隔离槽，第三上电极金属层为退火后可形成高波导损耗的上电极金属层；以及位于n型重掺杂下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层。通过本发明提供的一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件及其制作方法，解决了现有技术中无法测得THz QCL在可工作电流密度范围内完整的增益谱变化情况的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 量子 级联 激光器 增益 测量 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件，其特征在于，所述增益谱测量器件包括：半绝缘GaAs衬底；位于所述半绝缘GaAs衬底上表面的GaAs缓冲层；位于所述GaAs缓冲层表面的n型重掺杂下接触层；位于所述n型重掺杂下接触层表面的有源区；位于所述有源区表面的n型重掺杂上接触层；位于所述n型重掺杂上接触层表面且各自分隔的第一、第二、第三上电极金属层，所述第一上电极金属层与所述第二上电极金属层之间设有凹至GaAs缓冲层的深隔离槽，所述第三上电极金属层为退火后可形成高波导损耗的上电极金属层；其中，所述第一、第二、第三上电极金属层的宽度相等；退火后可形成高波导损耗的上电极金属层为Pd/Ge/Ti/Au金属层，所述Pd/Ge/Ti/Au金属层中Ge与Pd的原子比大于1，Ti层的厚度范围为10～20um，Au层的厚度大于50um；以及位于所述n型重掺杂下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层。
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