[发明专利]等离子体处理装置、热电子发生器、等离子体点燃装置及方法有效
| 申请号： | 201610246142.5 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN107305829B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 刘季霖;吴狄 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置、热电子发生器、等离子体点燃装置及方法，用于改善等离子体点燃。其中，所述等离子体处理装置包括：腔室，内部具有处理空间；气体入口，作为处理气体进入所述腔室的通道；热电子发生器，产生并输送热电子至腔室内；射频功率源，驱动所述热电子撞击处理气体，产生等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 电子 发生器 点燃 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，包括：腔室，内部具有处理空间，用于对基片进行等离子体处理；气体入口，作为处理气体进入所述腔室的通道；热电子发生器，用于提供数量是自然环境中电子数目的两倍或更多的热电子至所述腔室内，以获得更稳定或更优异的等离子体点燃效果；射频功率源，驱动所述热电子撞击处理气体，产生等离子体。
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