[发明专利]等离子体处理装置、热电子发生器、等离子体点燃装置及方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包括：

腔室，内部具有处理空间，用于对基片进行等离子体处理；

气体入口，作为处理气体进入所述腔室的通道；

热电子发生器，用于提供数量是自然环境中电子数目的两倍或更多的热电子至所述腔室内，以获得更稳定或更优异的等离子体点燃效果；

射频功率源，驱动所述热电子撞击处理气体，产生等离子体。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述腔室包括顶壁、侧壁与底壁，所述热电子发生器的至少一部分设置在所述顶壁或侧壁或底壁内。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述热电子发生器的至少一部分已伸入至腔室的处理空间。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述等离子体处理装置为电感耦合等离子体处理装置。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述等离子体处理装置为电容耦合等离子体处理装置。

6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述热电子发生器包括电热丝；通过调节施加于电热丝的加热电压来控制所产生的热电子的数量。

7.一种等离子体处理装置中用于辅助等离子体点燃的热电子发生器，所述热电子发生器设置于所述等离子体处理装置，用于产生并输送数量是自然环境中电子数目的两倍或更多的热电子至所述等离子体处理装置的腔室，以获得更稳定或更优异的等离子体点燃效果。

8.如权利要求7所述的热电子发生器，其中，所述热电子发生器包括：

内部具有空隙的壳体；

电热丝，位于所述壳体内，并在通电加热后产生热电子；

电场，驱动所产生的热电子透过壳体进入所述腔室。

9.如权利要求8所述的热电子发生器，其中，所述空隙处于真空状态。

10.如权利要求8所述的热电子发生器，其中，所述壳体与腔室相接的部位的至少一部分以电子可透过材料制成，热电子正是透过该部分进入腔室。

11.如权利要求10所述的热电子发生器，其中，所述电子可透过材料为玻璃、石英或蓝宝石。

12.一种等离子体点燃装置，包括：

腔室；

如权利要求7至11任一项所述的热电子发生器；

射频功率源。

13.如权利要求12所述的等离子体点燃装置，还包括位于腔室内并相对设置的第一、二电极，所述射频功率源施加于所述第一电极或所述第二电极。

14.如权利要求12所述的等离子体点燃装置，还包括设置在腔室外的线圈，所述射频功率源施加于所述线圈。

15.一种等离子体点燃方法，包括：

通入处理气体至腔室内；

利用热电子发生器产生并输送数量是自然环境中电子数目的两倍或更多的热电子至腔室内，以获得更稳定或更优异的等离子体点燃效果；

通过射频功率源驱动所述热电子撞击所述处理气体，点燃等离子体。