[发明专利]应变堆叠的纳米片FET和/或量子阱堆叠的纳米片

摘要

示例性实施例提供用于制造具有一个或更多个子堆叠件的纳米片堆叠结构。示例性实施例的方面包括：生长一个或更多个子堆叠件的外延晶体初始堆叠件，子堆叠件中的每个具有至少三个层，牺牲层A和具有不同的材料性质的至少两个不同的非牺牲层B和C；继续进行纳米片器件的制造流程，从而在外延晶体堆叠件的每个端部处形成柱结构，所述柱结构用于在选择性蚀刻牺牲层之后将纳米片保持在适当的位置；相对于所有的非牺牲层B和C选择性地去除牺牲层A，同时堆叠件中的保留的层通过柱结构保持在适当的位置，使得在去除牺牲层A之后，子堆叠件中的每个包含非牺牲层B和C。

主权项

一种制造纳米片堆叠结构的方法，所述纳米片堆叠结构具有一个或更多个子堆叠件，所述方法包括下述步骤：生长一个或更多个子堆叠件的外延晶体初始堆叠件，子堆叠件中的每个具有至少三个层，牺牲层A和具有不同的材料性质的至少两个不同的非牺牲层B和C，其中，非牺牲层B和C在所有加工期间保持在与亚稳态对应的热力学或动力学的临界厚度以下，其中，牺牲层A仅放置在子堆叠件中的每个的顶部或底部处，子堆叠件中的每个使用牺牲层A中的一个在顶部或底部处连接到相邻的子堆叠件；继续进行纳米片器件的制造流程，从而在外延晶体堆叠件的每个端部处形成柱结构，所述柱结构用于在选择性蚀刻牺牲层之后将纳米片保持在适当的位置；以及相对于所有的非牺牲层B和C选择性地去除牺牲层A，同时堆叠件中的保留的层B和C通过柱结构保持在适当的位置，使得在去除牺牲层A之后，子堆叠件中的每个包含非牺牲层B和C。