[发明专利]一种柔性CIGS薄膜太阳电池的制备方法在审
| 申请号： | 201610232093.X | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN105762232A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 黄广明 | 申请（专利权）人： | 黄广明 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/032 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 528000 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种柔性CIGS薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于：包括在柔性衬底上依次制备氧化锌纳米棒结构的阻挡层、Mo背电极、吸收层、CdS缓冲层、Zn(O,S)缓冲层、i‑ZnO/ZnO:Al透明导电层/窗口层和Ni/Al电极，所述吸收层采用后掺钠的制备方法。本发明由于采用吸收层制备工艺完成后再通过蒸发NaF进行后掺Na，不仅增加了吸收层的载流子浓度、降低了电阻率，而且吸收层晶体质量不受影响，吸收层薄膜晶粒尺寸不变，改善了吸收层的电学性能，能够有效提高薄膜太阳电池的电学性能，同时纳米棒结构阻挡层可以有效防止杂质扩散到所述吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 cigs 薄膜 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
柔性CIGS薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于：包括在柔性衬底上依次制备氧化锌纳米棒结构的阻挡层、Mo背电极、吸收层、CdS缓冲层、Zn(O,S)缓冲层、i‑ZnO/ZnO:Al透明导电层/窗口层和Ni/Al电极，所述吸收层采用后掺钠的制备方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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