[发明专利]一种柔性CIGS薄膜太阳电池的制备方法

权利要求书

1.柔性CIGS薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于：包括在柔性衬底上依次制备氧化锌纳米棒结构的阻挡层、Mo背电极、吸收层、CdS缓冲层、Zn(O,S)缓冲层、i-ZnO/ZnO:Al透明导电层/窗口层和Ni/Al电极，所述吸收层采用后掺钠的制备方法。

2.根据权利要求1所述的柔性CIGS薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于：所述吸收层采用后掺钠的制备方法步骤包括：

步骤1、在柔性衬底上带有氧化锌纳米棒结构的阻挡层和Mo背电极的一面向下置入真空室的蒸发腔内，柔性衬底的上方置有衬底加热装置，作为蒸发源的Cu、Ga、Se、In均匀分布在蒸发腔内Mo背电极下方的周边，作为蒸发源的NaF9置于蒸发腔内吸收层下面的中心处；Cu、Ga、Se、In和NaF蒸发源各自置于温度可控的加热装置中；柔性衬底与Cu、Ga、Se、In和NaF蒸发源之间均置有蒸发源挡板；

步骤2、通过真空泵将蒸发腔内抽真空至10-3Pa，衬底加热至450°C～500℃，Cu蒸发源加热到1200-1300℃、In蒸发源加热到800-1000℃、Ga蒸发源加热到900-1100℃、Se蒸发源加热到200-300℃，打开Cu、In、Ga、Se的蒸发源挡板，在Mo背电极上共蒸发Cu、In、Ga、Se元素制备厚度为1-5μm的吸收层；关闭Cu、In、Ga的蒸发源挡板；

步骤3、保持柔性衬底温度不变，NaF蒸发源加热到550℃～600℃，打开NaF上面的蒸发源挡板，NaF持续蒸发15～20min后关闭NaF上面的蒸发源挡板，停止NaF加热；

步骤4、柔性衬底在Se气氛下以20-30℃/min的速率降温，直至柔性衬底温度低于250℃后关闭Se的蒸发源挡板，停止通入Se蒸汽，待柔性衬底冷却至室温后取出，吸收层即形成后掺杂Na的吸收层。

3.根据权利要求1或2所述的柔性CIGS薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于：所述柔性衬底为聚酰亚胺膜、钛箔或不锈钢箔片。

4.根据权利要求1或2所述的柔性CIGS薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤1中温度可控的加热装置为内周围盘绕有加热电阻丝的氮化硼坩埚，坩埚外壁贴附有测量并控制加热温度的热偶。

5.根据权利要求1或2所述的柔性CIGS薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于：所述氧化锌纳米棒结构的阻挡层的制备方法为固液气生长方法、MOVPE生长方法或CVD法。