[发明专利]一种阻止金属共晶键合合金外溢的方法及一种器件

摘要

本发明公开了一种阻止金属共晶键合合金外溢的方法，先在第一器件结构的器件衬底上制作第一键合金属图形，然后基于第一键合金属图形制作器件保护结构；器件保护结构包括第一槽型腔体，第一槽型腔体的底面为第一键合金属图形；然后在第二器件结构上制作出第二键合金属图形之后，在第一槽型腔体中对第一器件结构和第二器件结构进行金属共晶键合。由于器件保护结构包括第一槽型结构，因此在进行金属共晶键合时，可将金属共晶键合时外溢的液相合金流入第一槽型腔体内，会对外溢的液相合金起到阻隔作用，使之无法自由滚动，从而有效避免外溢的液相合金扩散到器件结构区域。此方式不但提高金属键合的气密等级，而且提高了MEMS器件生产制造的良率。

主权项

1.一种阻止金属共晶键合合金外溢的方法，其特征在于，所述方法包括：在第一器件结构的器件衬底上制作第一键合金属图形；基于所述第一键合金属图形制作器件保护结构；其中，所述器件保护结构包括第一槽型腔体，所述第一槽型腔体的底面为所述第一键合金属图形；在第二器件结构上制作第二键合金属图形，所述第二键合金属图形和所述第一键合金属图形对应；基于所述第一键合金属图形和所述第二键合金属图形，在所述第一槽型腔体中对所述第一器件结构和所述第二器件结构进行共晶键合，使得共晶键合时外溢的液相合金流入所述第一槽型腔体内；其中，所述器件保护结构的面积大于所述第一键合金属图形的面积，所述基于所述第一键合金属图形制作器件保护结构，具体包括：在所述第一键合金属图形上淀积绝缘介质，形成所述器件保护结构，并且所述绝缘介质的完全覆盖所述第一键合金属图形；对所述绝缘介质进行光刻及刻蚀，使得所述绝缘介质和所述第一键合金属图形共同形成所述第一槽型腔体，所述第一槽型腔体的腔壁为所述绝缘介质，所述第一槽型腔体的底面为所述第一键合金属图形。