[发明专利]一种阻止金属共晶键合合金外溢的方法及一种器件

权利要求书

1.一种阻止金属共晶键合合金外溢的方法，其特征在于，所述方法包括：

在第一器件结构的器件衬底上制作第一键合金属图形；

基于所述第一键合金属图形制作器件保护结构；其中，所述器件保护结构包括第一槽型腔体，所述第一槽型腔体的底面为所述第一键合金属图形；

在第二器件结构上制作第二键合金属图形，所述第二键合金属图形和所述第一键合金属图形对应；

基于所述第一键合金属图形和所述第二键合金属图形，在所述第一槽型腔体中对所述第一器件结构和所述第二器件结构进行共晶键合，使得共晶键合时外溢的液相合金流入所述第一槽型腔体内；

其中，所述器件保护结构的面积大于所述第一键合金属图形的面积，所述基于所述第一键合金属图形制作器件保护结构，具体包括：

在所述第一键合金属图形上淀积绝缘介质，形成所述器件保护结构，并且所述绝缘介质的完全覆盖所述第一键合金属图形；

对所述绝缘介质进行光刻及刻蚀，使得所述绝缘介质和所述第一键合金属图形共同形成所述第一槽型腔体，所述第一槽型腔体的腔壁为所述绝缘介质，所述第一槽型腔体的底面为所述第一键合金属图形。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一器件结构的器件衬底上制作第一键合金属图形，具体包括：

在所述第一器件结构进行金属淀积、光刻、刻蚀工艺，获得所述第一键合金属图形；或者

在所述第一器件结构进行金属蒸发、光刻、刻蚀工艺，获得所述第一键合金属图形。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一槽型腔体的腔壁和所述第一槽型腔体的底面的夹角为：75 °±10 °。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘介质的厚度是所述第一键合金属图形的厚度的两倍及以上。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第二器件结构上制作第二键合金属图形之前，所述方法还包括：

在所述第二器件结构上制作第二槽型腔体。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第二器件结构上制作第二键合金属图形，具体包括：

在所述第二器件结构上进行金属淀积、光刻、刻蚀工艺，获得所述第二键合金属图形；或者

在所述第二器件结构进行金属蒸发、光刻、刻蚀工艺，获得所述第二键合金属图形。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二键合金属图形的厚度大于所述绝缘介质的厚度和所述第一键合金属图形厚度的差值。

8.如权利要求1-7任一权项所述的方法，其特征在于，

当所述第一器件结构是器件硅片时，所述第二器件结构是盖帽硅片；

当所述第一器件结构是所述盖帽硅片，所述第二器件结构是所述器件硅片。

9.一种器件，其特征在于，所述器件采用如权利要求1-8任意权项所述的方法制作而成。