[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610227093.0 | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107293590B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 叶达勋;罗正玮;颜孝璁;简育生 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑泰强;李昕巍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管及其制造方法。鳍式场效应晶体管包括基底、鳍片结构、栅极堆叠结构及隔离结构。鳍片结构设置于基底上并具有多个沟渠，而栅极堆叠结构其覆盖于鳍片结构。隔离结构配置于基底上，以隔离栅极堆叠结构与基底，其中隔离结构具有不同的厚度。本发明所提供的鳍式场效应晶体管及其制造方法，通过改变隔离结构在不同区域的厚度，可微调鳍式场效应晶体管的等效通道宽度，以应用于不同的集成电路设计。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管，其包括：一基底；一鳍片结构，其设置于所述基底上，其中所述鳍片结构具有多个沟渠；一隔离结构，其配置于所述基底上以及多个所述沟渠内，其中所述隔离结构具有不同的厚度；以及一栅极堆叠结构，其覆盖所述鳍片结构以及隔离结构。
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