[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管，其包括：

一基底；

一鳍片结构，其设置于所述基底上，其中所述鳍片结构具有多个沟渠；

一隔离结构，其配置于所述基底上以及多个所述沟渠内，其中所述隔离结构具有不同的厚度；以及

一栅极堆叠结构，其覆盖所述鳍片结构以及隔离结构；

其中，所述隔离结构包括多个隔离部，多个所述隔离部分别位于多个所述沟渠内，且每一个所述隔离部沿着所述沟渠的一延伸方向被区分为一前段部分以及一连接于所述前段部分的后段部分，所述前段部分以及所述后段部分两者之间具有一预定高度差。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述基底被区分为一第一元件区及一第二元件区，所述隔离结构包括一位于所述第一元件区的第一隔离部以及一位于所述第二元件区的第二隔离部，所述第一隔离部与所述第二隔离部具有不同的厚度。

3.如权利要求2所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述鳍片结构包括至少一位于所述第一元件区的第一鳍片、至少一位于所述第二元件区的第二鳍片、以及一位于所述第一元件区与所述第二元件区之间的分隔鳍片，所述分隔鳍片的两相反侧壁面分别连接于所述第一隔离部以及所述第二隔离部，所述第一隔离部相对于所述基底的厚度小于所述第二隔离部相对于所述基底的厚度。

4.如权利要求3所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述分隔鳍片的顶面与所述第一隔离部的顶面之间的最小距离大于所述分隔鳍片的顶面与所述第二隔离部的顶面之间的最小距离。

5.如权利要求3所述的鳍式场效应晶体管，其中，其中一所述沟渠为一形成于至少一所述第一鳍片与所述分隔鳍片之间的第一沟渠，另外一所述沟渠为一形成于至少一所述第二鳍片与所述分隔鳍片之间的一第二沟渠，所述第一沟渠的宽度大于所述第二沟渠的宽度。

6.如权利要求3所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述栅极堆叠结构包括多个栅极堆叠条，多个所述栅极堆叠条的延伸方向与至少一所述第一鳍片、至少一所述第二鳍片以及所述分隔鳍片三者的延伸方向交错，其中一所述栅极堆叠条包括一覆盖至少一所述第一鳍片的第一堆叠部以及一覆盖至少一所述第二鳍片的第二堆叠部，所述第一堆叠部以及所述第二堆叠部分彼此分离以裸露所述分隔鳍片的顶面。

7.如权利要求3或6所述的鳍式场效应晶体管，其中，所述第一鳍片及所述第二鳍片电性连接至一外部控制电路，所述分隔鳍片未电性连接于所述外部控制电路。

8.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其包括：

于一基底上形成一鳍片结构，其中所述鳍片结构具有多个沟渠；

形成一配置于所述基底上以及多个所述沟渠之间的隔离结构，其中所述隔离结构具有不同的厚度；以及

形成一栅极堆叠结构以覆盖所述鳍片结构以及所述隔离结构；

其中，所述隔离结构包括多个隔离部，多个所述隔离部分别位于多个所述沟渠内，且每一个所述隔离部沿着所述沟渠的一延伸方向被区分为一前段部分以及一连接于所述前段部分的后段部分，所述前段部分以及所述后段部分两者之间具有一预定高度差。

9.如权利要求8所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其中，形成所述鳍片结构的步骤还进一步包括：

形成一初始硬质膜层于一初始基板上；

形成一光阻层于所述初始硬质膜层上，其中所述光阻层具有多个光阻开口，以定义出多个所述沟渠的位置；

通过所述光阻层蚀刻所述初始硬质膜层，以形成一具有多个硬质膜开口的硬质膜层，其中多个所述硬质膜开口分别连通于多个所述光阻开口；

通过所述光阻层以及所述硬质膜层蚀刻所述初始基板，以形成具有多个所述沟渠的所述鳍片结构；以及

移除所述光阻层。