[发明专利]基于ITO材料的吸收型光调制器结构在审

专利信息
申请号: 201610226225.8 申请日: 2016-04-13
公开(公告)号: CN105676484A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 刘永;夏瑞杰;叶胜威;袁飞;陆荣国;张雅丽 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G02F1/01 分类号: G02F1/01
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 徐金琼
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了基于ITO材料的吸收型光调制器结构,其主旨在于提供一种调制深度高、消光比高,且同时具有小尺寸、低插入损耗、低功耗、高速率的基于ITO材料的吸收型光调制器结构。其包括基底层(1),在基底层(1)上设置有呈梯形结构的第一光波导层(2),第一光波导层(2)上依次设置有ITO层(4)、HfO2隔离层(5)、第二光波导层(3)。用于光子集成及光纤通信系统中。
搜索关键词: 基于 ito 材料 吸收 调制器 结构
【主权项】:
基于ITO材料的吸收型光调制器结构,包括基底层(1),在基底层(1)上设置有呈梯形结构的第一光波导层(2),第一光波导层(2)上依次设置有ITO层(4)、HfO2隔离层(5)、第二光波导层(3)。
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