[发明专利]基于ITO材料的吸收型光调制器结构在审
| 申请号： | 201610226225.8 | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN105676484A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 刘永;夏瑞杰;叶胜威;袁飞;陆荣国;张雅丽 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 徐金琼 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 ito 材料 吸收 调制器 结构 | ||
【权利要求书】：
1.基于ITO材料的吸收型光调制器结构，包括基底层（1），在基底层（1）上设置有呈梯形 结构的第一光波导层（2），第一光波导层（2）上依次设置有ITO层（4）、HfO2隔离层（5）、第二 光波导层（3）。
2.根据权利要求1所述的基于ITO材料的吸收型光调制器结构，其特征在于，所述基底 层的材料为SiO2。
3.根据权利要求1所述的基于ITO材料的吸收型光调制器结构，其特征在于，所述第一 光波导层、第二光波导层的材料为Si。
4.根据权利要求1所述的基于ITO材料的吸收型光调制器结构，其特征在于，所述第二 光波导层上表面呈矩形结构。
5.根据权利要求1所述的基于ITO材料的吸收型光调制器结构，其特征在于，所述ITO层 的厚度为3~10nm。
6.根据权利要求1所述的基于ITO材料的吸收型光调制器结构，其特征在于，所述HfO2隔 离层的厚度为5nm。
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