[发明专利]一种氧化铝基质的荧光陶瓷的制备方法及相关荧光陶瓷有效

专利信息
申请号: 201610224862.1 申请日: 2016-04-12
公开(公告)号: CN107285745B 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 李乾;王艳刚;陈雨叁;许颜正 申请(专利权)人: 深圳光峰科技股份有限公司
主分类号: C04B35/10 分类号: C04B35/10;C04B35/622;C04B35/645
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明保护一种氧化铝基质的荧光陶瓷的制备方法,依序包括以下步骤:将氧化铝、荧光粉与烧结助剂混合并煅烧,得到荧光陶瓷前驱体粉末,然后将粉末烧结,得到荧光陶瓷。其中,各组分的粒径选择为预设大小,荧光陶瓷前驱体粉末在烧结前经过5MPa以上高压处理,在烧结中承受30~200MPa的高压,烧结温度为1250~1550℃,在无氧气氛下进行。该制备方法使得在制备过程中荧光粉保持晶体新貌不变的情况下,氧化铝以较低温度进入液相,得到致密、低孔隙率的荧光陶瓷,极大的提高了荧光陶瓷的导热性能和发光效率。
搜索关键词: 一种 氧化铝 基质 荧光 陶瓷 制备 方法 相关
【主权项】:
一种氧化铝基质的荧光陶瓷的制备方法,其特征在于,依序包括以下步骤:混料:将氧化铝、荧光粉、烧结助剂与研磨溶剂均匀混合,得到荧光陶瓷前驱体浆料,所述氧化铝的粒径为0.05~1μm,所述荧光粉为YAG掺杂镧系元素的荧光粉或LuAG掺杂镧系元素的荧光粉,荧光粉的粒径为10~30μm,所述烧结助剂为氧化镁‑氧化钇混合烧结助剂,烧结助剂的粒径为0.05~0.1μm;煅烧:将所述荧光陶瓷前驱体浆料干燥,然后将其在有氧气氛下煅烧,除去其中的水和有机物,获得荧光陶瓷前驱体粉末;烧结:将所述荧光陶瓷前驱体粉末烧结,得到荧光陶瓷,烧结温度为1250~1550℃,烧结压力为30~200MPa,烧结在无氧气氛下进行,其中,该荧光陶瓷前驱体粉末在烧结前经过5MPa以上高压预处理,使粉末保持致密。
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