[发明专利]一种氧化铝基质的荧光陶瓷的制备方法及相关荧光陶瓷有效
申请号: | 201610224862.1 | 申请日: | 2016-04-12 |
公开(公告)号: | CN107285745B | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 李乾;王艳刚;陈雨叁;许颜正 | 申请(专利权)人: | 深圳光峰科技股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10;C04B35/622;C04B35/645 |
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地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明保护一种氧化铝基质的荧光陶瓷的制备方法,依序包括以下步骤:将氧化铝、荧光粉与烧结助剂混合并煅烧,得到荧光陶瓷前驱体粉末,然后将粉末烧结,得到荧光陶瓷。其中,各组分的粒径选择为预设大小,荧光陶瓷前驱体粉末在烧结前经过5MPa以上高压处理,在烧结中承受30~200MPa的高压,烧结温度为1250~1550℃,在无氧气氛下进行。该制备方法使得在制备过程中荧光粉保持晶体新貌不变的情况下,氧化铝以较低温度进入液相,得到致密、低孔隙率的荧光陶瓷,极大的提高了荧光陶瓷的导热性能和发光效率。 | ||
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【主权项】:
一种氧化铝基质的荧光陶瓷的制备方法,其特征在于,依序包括以下步骤:混料:将氧化铝、荧光粉、烧结助剂与研磨溶剂均匀混合,得到荧光陶瓷前驱体浆料,所述氧化铝的粒径为0.05~1μm,所述荧光粉为YAG掺杂镧系元素的荧光粉或LuAG掺杂镧系元素的荧光粉,荧光粉的粒径为10~30μm,所述烧结助剂为氧化镁‑氧化钇混合烧结助剂,烧结助剂的粒径为0.05~0.1μm;煅烧:将所述荧光陶瓷前驱体浆料干燥,然后将其在有氧气氛下煅烧,除去其中的水和有机物,获得荧光陶瓷前驱体粉末;烧结:将所述荧光陶瓷前驱体粉末烧结,得到荧光陶瓷,烧结温度为1250~1550℃,烧结压力为30~200MPa,烧结在无氧气氛下进行,其中,该荧光陶瓷前驱体粉末在烧结前经过5MPa以上高压预处理,使粉末保持致密。
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