[发明专利]一种氧化铝基质的荧光陶瓷的制备方法及相关荧光陶瓷

权利要求书

1.一种氧化铝基质的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，依序包括以下步骤：

混料：将氧化铝、荧光粉、烧结助剂与研磨溶剂均匀混合，得到荧光陶瓷前驱体浆料，所述氧化铝的粒径为0.05～1μm，所述荧光粉为YAG掺杂镧系元素的荧光粉或LuAG掺杂镧系元素的荧光粉，荧光粉的粒径为10～30μm，所述烧结助剂为氧化镁-氧化钇混合烧结助剂，烧结助剂的粒径为0.05～0.1μm；

煅烧：将所述荧光陶瓷前驱体浆料干燥，然后将其在有氧气氛下煅烧，除去其中的水和有机物，获得荧光陶瓷前驱体粉末；

烧结：将所述荧光陶瓷前驱体粉末烧结，得到荧光陶瓷，烧结温度为1250～1550℃，烧结压力为30～200MPa，烧结在无氧气氛下进行，其中，该荧光陶瓷前驱体粉末在烧结前经过5MPa以上高压预处理，使粉末保持致密。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述荧光粉包括YAG:Ce³⁺或LuAG:Ce³⁺。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述荧光粉占所述荧光陶瓷前驱体粉末总量的质量百分比为30～80％，所述烧结助剂占所述荧光陶瓷前驱体粉末总量的质量百分比为0.01～1％。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混料步骤包括，首先将所述氧化铝和烧结助剂装入球磨罐，加入研磨溶剂、增稠剂和分散剂，进行第一次球磨；然后将所述荧光粉加入球磨罐，进行第二次球磨，其中，第一次球磨时间大于第二次球磨时间。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述煅烧步骤中，煅烧温度为500～650℃。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述烧结步骤中，所述无氧气氛为氮气、氢气、氮气氢气混合气、惰性气体或真空气氛。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述烧结步骤包括，将所述荧光陶瓷前驱体粉末在模具中5～15MPa高压预成型，然后将所述荧光陶瓷前驱体粉末连同模具一同放入热压烧结炉中，使所述荧光陶瓷前驱体粉末在30～200MPa下烧结。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述烧结步骤包括，将所述荧光陶瓷前驱体粉末在模具中5～15MPa高压预成型，然后将所述荧光陶瓷前驱体粉末连同模具一同放入放电等离子烧结炉中，使所述荧光陶瓷前驱体粉末在30～200MPa下烧结，烧结在真空气氛下进行。

9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，在烧结步骤后，还包括对荧光陶瓷的还原处理步骤，该还原处理步骤在还原气氛下进行，且还原处理步骤的温度环境为1100～1700℃。

10.一种荧光陶瓷，其特征在于，该荧光陶瓷由权利要求1～9中任一项所述的制备方法制备。