[发明专利]一种USB-PD PHY电路实现方法

摘要

本发明公开了一种USB‑PD PHY电路实现方法，包括如下步骤：步骤S201，Preamble侦测；步骤S202，SOP*侦测；步骤S203，CRC校验；步骤S204，5b‑4b数据转换和4b‑5b数据转换；步骤S205，BMC解码；步骤S206，BMC编码。本发明具有很高的性价比，成本不到专业USB‑PD PHY芯片的十分之一，实用性强，易于推广应用，经济价值高。

主权项

1.一种USB‑PD PHY电路实现方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S201，Preamble侦测；步骤S202，SOP*侦测；步骤S203，CRC校验；步骤S204，5b‑4b数据转换和4b‑5b数据转换；步骤S205，BMC解码；步骤S206，BMC编码；其中，上述实现步骤还需要如下电路配合：USB‑PD PHY电路包括单片机，所述单片机还与CC1模块、CC_TXD模块、TX_ENb模块和CC‑RXD模块；其中，所述CC1模块与一USB‑3.1接口的CC1或CC2线相接；所述CC_TXD模块接所述单片机的CC_TXD I/O端口，所述CC_TXD I/O端口完成USB‑PD数据的发送功能，在USB‑PD数据接收时所述CC_TXD I/O端口切换到高阻状态；所述TX_ENb模块接单片机的TX_ENb I/O端口，所述TX_ENb I/O端口在USB‑PD数据发送时输出低电平，在USB‑PD数据接收时切换到高阻状态；所述CC‑RXD模块接单片机的CC‑RXD I/O端口，所述CC‑RXD I/O端口完成USB‑PD数据的接收功能；所述步骤S201，Preamble侦测，具体包括如下子步骤：步骤S3011，将所述单片机的CC_TXD I/O端口和TX_ENb I/O端口切换到高阻态，所述单片机的CC‑RXD I/O端口设置为输入状态并内部下拉；步骤S3012，设置好单片机的工作状态后CC‑RXD I/O持续读取CC‑RXD的电平，如果电平发生反转则记下当前电平并开启定时器，定时2/3 UI时间，在2/3 UI时间后再次读取CC‑RXD电平，如果两次读取的电平相同，则是一些干扰信号，没有发现Preamble起始，返回到上述持续读取CC‑RXD 电平，直到读取的电平和上次的电平不同，说明侦测到了第一个正确的USB‑PD的数据位“1”，如此，下一次读取CC‑RXD I/O电平如果读到的两次电平相同说明读到了正确的USB‑PD的数据“0”，如此反复读取共计64位Preamble。