[发明专利]一种确定OPC模型焦平面的方法

摘要

本发明提供了一种确定OPC模型焦平面的方法，包括：选取多种待测图形；针对每种待测图形，量测多个阈值下的图形关键尺寸值，通过曲线拟合得到图形关键尺寸与阈值的线性关系；根据建立模型所使用的曝光后尺寸，利用所述线性关系计算出建立模型数据的模型阈值；将晶圆在量测位置做切片，量测出图形的光阻厚度；针对每种待测图形，将所得光阻厚度与所述模型阈值相乘，以得到光阻成像位置到光阻底部的距离；将所述多种待测图形得到的光阻成像位置到光阻底部的距离求平均值，由此得到实际焦平面位置；利用计算出来的实际焦平面位置计算出理论焦平面位置。

主权项

1.一种确定OPC模型焦平面的方法，其特征在于包括：第一步骤：选取多种待测图形；第二步骤：针对每种待测图形，量测多个阈值下的图形关键尺寸值，通过曲线拟合得到图形关键尺寸与阈值的线性关系；第三步骤：根据建立模型所使用的曝光后尺寸，利用所述线性关系计算出建立模型数据的模型阈值；第四步骤：将晶圆在量测位置做切片，量测出图形的光阻厚度；第五步骤：针对每种待测图形，将所得光阻厚度与所述模型阈值相乘，以得到光阻成像位置到光阻底部的距离；第六步骤：将所述多种待测图形得到的光阻成像位置到光阻底部的距离求平均值，由此得到实际焦平面位置；第七步骤：通过下述公式，利用计算出来的实际焦平面位置计算出理论焦平面位置：其中，n₁表示空气的折射率，n₂表示顶部涂层的折射率，n₃表示光阻的折射率，NA为顶部涂层的厚度，DF为实际焦平面位置，BF表示理论焦平面位置。