[发明专利]一种确定OPC模型焦平面的方法

说明书

本发明提供了一种确定OPC模型焦平面的方法，包括：选取多种待测图形；针对每种待测图形，量测多个阈值下的图形关键尺寸值，通过曲线拟合得到图形关键尺寸与阈值的线性关系；根据建立模型所使用的曝光后尺寸，利用所述线性关系计算出建立模型数据的模型阈值；将晶圆在量测位置做切片，量测出图形的光阻厚度；针对每种待测图形，将所得光阻厚度与所述模型阈值相乘，以得到光阻成像位置到光阻底部的距离；将所述多种待测图形得到的光阻成像位置到光阻底部的距离求平均值，由此得到实际焦平面位置；利用计算出来的实际焦平面位置计算出理论焦平面位置。

技术领域

本发明涉及微电子领域，更具体地说，本发明涉及一种确定OPC(OpticalProximity Correction，光学临近修正)模型焦平面的方法。

背景技术

焦平面(focus plane)指光束在晶圆表面聚焦位置，包括理论聚焦平面实际聚焦平面两个参数，在OPC模型建立过程中决定了成像的位置，是建立OPC模型时一个重要的光学参数。

目前常用的确定焦平面的方法是全局搜索法，即以一定的步进值将实际焦平面和理论焦平面划分为多种组合，再分别建立OPC模型，通过比较所得各种模型的均方差，得到最优的模型。这种方法存在两个问题：

1.步进值越小，模型的精确度越高，但是计算时间越长，对资源的占用越多，计算量与步进值的平方值呈正比关系。

2.在所得的模型中，往往有多种模型符合精度要求，但是由于单纯由误差比较来获得，导致模型具有较强的数学意义，而忽视了模型的物理意义，进而影响模型的外延性，甚至发生过度拟合的情况。

在技术节点较大的情况下，由于模型的精度要求较低，且计算量较小，上述两个问题并不明显，但是随着技术节点逐渐减小，上述两种问题开始严重影响建立OPC模型的效率和精度。

目前急需一种既可以节省计算资源，又可以提高模型的外延性，减少过度拟合发生的几率的确定焦平面位置的方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，本发明基于实际量测数据，根据焦平面的物理意义，准确确定焦平面的位置，既可以节省计算资源，同时又强化了模型的物理意义，提高模型的外延性，减少过度拟合发生的几率，提高了构建OPC模型的效率。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种确定OPC模型焦平面的方法，包括：

第一步骤：选取多种待测图形；

第二步骤：针对每种待测图形，量测多个阈值下的图形关键尺寸值，通过曲线拟合得到图形关键尺寸与阈值的线性关系；

第三步骤：根据建立模型所使用的曝光后尺寸，利用所述线性关系计算出建立模型数据的模型阈值；

第四步骤：将晶圆在量测位置做切片，量测出图形的光阻厚度；

第五步骤：针对每种待测图形，将所得光阻厚度与所述模型阈值相乘，以得到光阻成像位置到光阻底部的距离；

第六步骤：将所述多种待测图形得到的光阻成像位置到光阻底部的距离求平均值，由此得到实际焦平面位置；

第七步骤：利用计算出来的实际焦平面位置DF计算出理论焦平面位置。

优选地，所述OPC模型焦平面的方法用于建立OPC模型。

优选地，待测图形包括：二维矩阵图案。

优选地，待测图形包括：方形矩阵图案。

优选地，待测图形包括：一维排布的多个方形图案组成的阵列。

优选地，待测图形包括一维排布的多个多长方形图案组成的阵列。