[发明专利]一种单片集成的多功能紫外/日盲紫外双色探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种紫外/日盲紫外双色探测器，具体是指一种单片集成的多功能紫外/日盲紫外双色探测器及其制备方法。本发明是通过激光分子束外延技术在碳化硅衬底上沉积一层氧化镓薄膜，然后利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在碳化硅衬底和氧化镓薄膜上沉积一层钛/金薄膜作为电极使用。本发明的优点是所制备的单片集成的多功能双色紫外探测器具有反应灵敏，性能稳定，暗电流小，在不同电压模式下可以分别实现日盲区紫外火焰探测以及紫外线强度检测的功能，可应用于火灾报警、高压线电晕以及太阳光紫外线强度的探测；另外，该制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好，且重复测试具有可恢复性等特点，具有很大的应用前景。

主权项

一种单片集成的多功能紫外/日盲紫外双色探测器，其特征在于由β‑Ga2O3薄膜、n型4H‑SiC衬底、Ti/Au薄膜电极以及双模开关组成;所述的β‑Ga2O3薄膜厚度为200‑500 nm，面积为0.5×0.5～1.5×1.5 cm2，所述的n型4H‑SiC衬底作为制备β‑Ga2O3薄膜的衬底，所述的β‑Ga2O3薄膜面积为n型4H‑SiC衬底面积的一半，所述的Ti/Au薄膜电极位于Ga2O3薄膜和n型4H‑SiC衬底表面，形状为直径200‑300微米的圆形，Ti薄膜电极厚度为20‑40 nm， Au薄膜电极在Ti薄膜电极的上方，厚度为60‑120 nm，所述双模开关包括可自由切换的开1端、开2端和关闭端，所述双模开关开1端的一边与β‑Ga2O3薄膜上的Ti/Au薄膜电极连接，另一边与4H‑SiC衬底上的Ti/Au薄膜电极连接，在开1端回路上施加有反向偏压，即4H‑SiC衬底上的Ti/Au薄膜电极电位高于β‑Ga2O3薄膜上的Ti/Au薄膜电极；所述双模开关开2端的一边与β‑Ga2O3薄膜上的Ti/Au薄膜电极连接，另一边与4H‑SiC衬底上的Ti/Au薄膜电极连接，在开2端回路上施加有正向偏压，即4H‑SiC衬底上的Ti/Au薄膜电极电位低于β‑Ga2O3薄膜上的Ti/Au薄膜电极。