[发明专利]基于碳化硅PIN二极管结构的β辐照闪烁体探测器

摘要

本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的β射线闪烁体探测器及其制作方法，主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型β射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬底(7)、N型缓冲层(6)、掺杂浓本征吸收层(5)；该本征吸收层(5)中间区域开有窗口，窗口内埋入塑料闪烁体(1)，窗口内部区域及窗口上方淀积有一层SiO₂反射层(2)，本征吸收层(5)两侧上方为P⁺薄层(4)，P⁺薄层(4)上方为P型欧姆接触电极(3)。该β射线探测器探测率高，利于集成，抗辐射型好，可用于核能中对β射线的探测。

主权项

1.一种基于碳化硅PIN二极管结构的β辐照探测器，包括塑料闪烁体(1)、SiO2反射层(2)、P型欧姆接触电极(3)，P+型薄层(4)、本征吸收层(5)，N型缓冲层(6)、N型衬底(7)和N型欧姆接触电极(8)；所述本征吸收层(5)、N型缓冲层(6)、N型衬底(7)和N型欧姆接触电极(8)自上而下依次排列；所述P+型薄层(4)位于本征吸收层(5)窗口左右两侧的上方，P型欧姆接触电极(3)位于P+型薄层(4)的上方；其特征在于：本征吸收层(5)的中间区域开有深度为1.5μm～2.5μm、宽度为6.0μm～8.0μm的窗口，塑料闪烁体(1)埋入该窗口区域内且其厚度与窗口深度相同，SiO2反射层(2)淀积在整个窗口区域内及窗口的上方。