[发明专利]太阳能电池、其发射结以及制备方法在审
| 申请号： | 201610193042.0 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN107293612A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 袁国栋;吴瑞伟;王克超;李晋闽;王军喜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种太阳能电池发射结制备方法，包括步骤(1)准备n型硅衬底，所述衬底具有正面和背面，在所述衬底的背面沉积保护层；(2)在所述衬底的正面形成尺寸大小为10-500nm的纳米孔或1-20μm的微米凹坑；(3)在腐蚀后的衬底的正面刷铝浆，烘干并烧结形成p型层。以及一种依据上述方法制备的太阳能电池发射结和包含该发射结的太阳能电池。所述制备方法中通过在衬底的正面采用丝网印刷形成发射结，成本相比于其他技术大为降低，并且易于大规模生产，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 发射 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池发射结的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)准备n型硅衬底，所述衬底具有正面和背面，在所述衬底的背面形成保护层；(2)在所述衬底的正面形成尺寸大小为10‑500nm的纳米孔或1‑20μm的微米凹坑；(3)在衬底正面涂布铝浆，烘干并烧结形成p型层；(4)去除衬底背面的所述保护层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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