[发明专利]太阳能电池、其发射结以及制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池发射结的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)准备n型硅衬底，所述衬底具有正面和背面，在所述衬底的背面形成保护层；

(2)在所述衬底的正面形成尺寸大小为10-500nm的纳米孔或1-20μm的微米凹坑；

(3)在衬底正面涂布铝浆，烘干并烧结形成p型层；

(4)去除衬底背面的所述保护层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池发射结的制备方法，其特征在于，所述保护层材料为二氧化硅或氮化硅。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池发射结的制备方法，其特征在于，步骤(2)中在所述衬底的正面形成纳米孔或微米凹坑的方法为化学腐蚀法，所述化学腐蚀法优选为金属催化化学腐蚀、碱腐蚀或酸腐蚀法。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池发射结的制备方法，其特征在于，采用金属催化化学腐蚀时，腐蚀液为贵金属离子与氢氟酸的混合液；采用碱腐蚀时，所用碱为氢氧化钠或氢氧化钾或四甲基氢氧化铵；采用酸腐蚀时，腐蚀液为硝酸与氢氟酸的混合液。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池发射结的制备方法，其特征在于，所述铝浆的厚度为5-30μm；所述烘干的温度为200-400℃，时长为0.5-2min；所述烧结的温度为550-900℃，时长为2-120s。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池发射结的制备方法，其特征在于，去除衬底背面的所述保护层采用BOE溶液进行腐蚀去除。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池发射结的制备方法，其特征在于，在步骤(4)之后进一步包括在所述衬底的正面制作减反层和正面电极，和在所述衬底的背面制作背面电极的步骤。

8.根据权利要求1-7任意一项所述方法制备的太阳能电池发射结。

9.一种太阳能电池，包括权利要求8所述的太阳能电池发射结。

10.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，其中采用根据权利要求1-7任意一项所述方法制备所述太阳能电池的发射结。