[发明专利]一种Ba3P3O10Cl单晶的生长方法

摘要

本发明公开了一种Ba3P3O10Cl单晶的生长方法，包括：1)采用BaCO3与NH4H2PO4作为原料，经烧结后得到多晶原料；2)将多晶原料与BaCl2、CsCl混合研磨，得到原料混合物，并将原料混合物进行真空密封；3)对真空密封后的所述原料混合物高温加热熔融，之后降温，得到Ba3P3O10Cl单晶。本发明采用合成的多晶原料混合一定比例的BaCl2与CsCl，熔封在密闭的石英管内，采用真空密闭助熔剂坩埚下降法生长，并调整生长过程中的温度等参数，从而得到了能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸Ba3P3O10Cl单晶，尺寸约为Φ10×50mm，且在紫外可见光区域透过率可达90％以上。

主权项

1.一种Ba3P3O10Cl单晶的生长方法，包括以下步骤：1)采用BaCO3与NH4H2PO4作为原料，经烧结后得到多晶原料；2)将步骤1)中得到的所述多晶原料与BaCl2、CsCl混合并研磨，得到均匀的原料混合物，并将所述原料混合物进行真空密封；3)对真空密封后的所述原料混合物高温加热熔融；之后降温，得到所述Ba3P3O10Cl单晶；其中，所述步骤3)的高温加热熔融步骤为：31)将步骤2)中真空密封后的所述原料混合物放置在具有高温区和低温区的生长装置中的高温区内，之后升温使得所述生长装置内的高温区和低温区均达到预设温度，保温熔融，得到熔液；所述高温区的预设温度为900～1300℃；所述低温区的预设温度为450～650℃；所述生长装置内的温度梯度为(25～30)℃/cm；再有，所述步骤3)中的降温步骤为：32)在所述生长装置内寻找与熔液的结晶温度相同的位置，称为结晶点位置，通过下降的方式使得熔液均匀地通过所述结晶点位置；33)对所述高温区和所述低温区进行降温，得到所述Ba3P3O10Cl单晶，其尺寸达到厘米级。