[发明专利]增强型氮化镓晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201610178240.X | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230726A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/20;H01L21/336;H01L21/306;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 孙明子,刘芳 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种增强型氮化镓晶体管的制造方法，该方法包括在氮化镓外延基底的表面上依次生长氮化硅钝化层和PETEOS氧化层；制造晶体管的第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极；对晶体管进行退火处理；对第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极之间的预设区域内的氮化硅钝化层和PETEOS氧化层进行干法刻蚀处理，形成开孔；通过开孔对氮化镓铝势垒层进行湿法刻蚀形成栅极接触孔；在栅极接触孔内以及晶体管表面上沉积栅极金属层；对栅极金属层进行光刻，刻蚀，形成栅极。通过湿法刻蚀栅极接触孔，降低了刻蚀对沟道表面的损伤，便于实现更高的阈值电压和击穿电压，提高了晶体管器件的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 氮化 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种增强型氮化镓晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在氮化镓外延基底的表面上依次生长氮化硅钝化层和PETEOS氧化层，其中，所述氮化镓外延基底包括由下而上依次设置的硅衬底层、氮化镓缓冲层和氮化镓铝势垒层；制造所述晶体管的第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极；对制造所述第一欧姆接触电极和所述第二欧姆接触电极后的晶体管进行退火处理；对所述第一欧姆接触电极和所述第二欧姆接触电极之间的预设区域内的氮化硅钝化层和PETEOS氧化层进行干法刻蚀处理，形成开孔；通过所述开孔，对所述氮化镓铝势垒层进行湿法刻蚀，形成栅极接触孔；在所述栅极接触孔内以及晶体管表面上，沉积栅极金属层；对所述栅极金属层进行光刻，刻蚀，形成栅极。
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