[发明专利]增强型氮化镓晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种增强型氮化镓晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在氮化镓外延基底的表面上依次生长氮化硅钝化层和PETEOS氧化层，其中，所述氮化镓外延基底包括由下而上依次设置的硅衬底层、氮化镓缓冲层和氮化镓铝势垒层；

制造所述晶体管的第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极；

对制造所述第一欧姆接触电极和所述第二欧姆接触电极后的晶体管进行退火处理；

对所述第一欧姆接触电极和所述第二欧姆接触电极之间的预设区域内的氮化硅钝化层和PETEOS氧化层进行干法刻蚀处理，形成开孔；

通过所述开孔，对所述氮化镓铝势垒层进行湿法刻蚀，形成栅极接触孔；

在所述栅极接触孔内以及晶体管表面上，沉积栅极金属层；

对所述栅极金属层进行光刻，刻蚀，形成栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理的温度为840摄氏度，所述退火处理的时间为30秒，所述退火处理在氮气氛围中。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制造所述晶体管的第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极，包括：

干法刻蚀左右两侧部分区域的氮化硅钝化层和PETEOS氧化层，分别形成第一欧姆接触孔和第二欧姆接触孔；

在所述第一欧姆接触孔内、所述第二欧姆接触孔内以及晶体管表面上，沉积欧姆电极金属层；

对所述欧姆电极金属层进行光刻，刻蚀，形成所述第一欧姆接触电极和所述第二欧姆接触电极。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一欧姆接触孔内、所述第二欧姆接触孔内以及晶体管表面上，沉积欧姆电极金属层之前，还包括：

依次采用DHF溶液，SC1溶液和SC2溶液对所述第一欧姆接触孔和第二欧姆接触孔进行清洗处理。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一欧姆接触孔内、所述第二欧姆接触孔内以及晶体管表面上，沉积欧姆电极金属层， 包括：

采用磁控溅射镀膜工艺，在所述第一欧姆接触孔内、所述第二欧姆接触孔内以及晶体管表面上，依次沉积钛层、铝层、钛层、氮化钛层，形成所述欧姆电极金属层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述钛层、铝层、钛层、氮化钛层的厚度分别是：

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过所述开孔，对所述氮化镓铝势垒层进行湿法刻蚀，形成栅极接触孔，包括：

通过所述开孔，采用过氧化氢和氢氧化钾的混合溶液对所述氮化镓铝势垒层进行湿法刻蚀，形成所述栅极接触孔。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述栅极接触孔内以及晶体管表面上，沉积栅极金属层，包括：

采用磁控溅射镀膜工艺，在所述栅极接触孔内以及晶体管表面上，依次沉积镍层和金层，形成所述栅极金属层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述栅极接触孔内以及晶体管表面上，沉积栅极金属层之前，还包括：

采用盐酸溶液，对所述栅极接触孔进行清洗。