[发明专利]一种Ag掺杂MnO2 有效
申请号: | 201610176928.4 | 申请日: | 2016-03-25 |
公开(公告)号: | CN105632791B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 李鹏;李文尧;行栋鹏;李唯;柯金龙 | 申请(专利权)人: | 上海工程技术大学 |
主分类号: | H01G11/86 | 分类号: | H01G11/86;H01G11/46;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 林君如 |
地址: | 201620 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本发明涉及一种Ag掺杂MnO |
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搜索关键词: | 一种 ag 掺杂 mno base sub | ||
【主权项】:
1.一种Ag掺杂MnO2 纳米阵列超级电容器材料的制备方法,其特征在于,所述的超级电容器材料包括MnO2 纳米阵列和掺杂在MnO2 纳米阵列中的金属Ag,所述的MnO2 纳米阵列为由纳米线间隔组成的线状阵列结构,所述的纳米线之间的间隙宽度为1~3μm,其制备方法包括以下步骤:(1)往Mn(CH3 COO)2 溶液中滴加AgNO3 溶液,并保持搅拌,反应,得到初步反应溶液;(2)将步骤(1)得到的初步反应溶液水浴加热,继续反应,得到反应产物;(3)将步骤(2)得到的反应产物过滤烘干后,退火处理,即得到目的产品;步骤(1)中所述的Mn(CH3 COO)2 溶液的浓度为0.01~0.05mol/L,所述的AgNO3 溶液的浓度为0.01~0.08mol/L;添加的Mn(CH3 COO)2 溶液与AgNO3 溶液的体积比为50:(0.4~6)。
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