[发明专利]一种Ag掺杂MnO2

权利要求书

1.一种Ag掺杂MnO2纳米阵列超级电容器材料的制备方法，其特征在于，所述的超级电容器材料包括MnO2纳米阵列和掺杂在MnO2纳米阵列中的金属Ag，所述的MnO2纳米阵列为由纳米线间隔组成的线状阵列结构，所述的纳米线之间的间隙宽度为1~3μm，其制备方法包括以下步骤：

（1）往Mn(CH3COO)2溶液中滴加AgNO3溶液，并保持搅拌，反应，得到初步反应溶液；

（2）将步骤（1）得到的初步反应溶液水浴加热，继续反应，得到反应产物；

（3）将步骤（2）得到的反应产物过滤烘干后，退火处理，即得到目的产品；

步骤（1）中所述的Mn(CH3COO)2溶液的浓度为0.01~0.05mol/L，所述的AgNO3溶液的浓度为0.01~0.08mol/L；

添加的Mn(CH3COO)2溶液与AgNO3溶液的体积比为50：（0.4~6）。

2.根据权利要求1所述的一种Ag掺杂MnO2纳米阵列超级电容器材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中搅拌反应的时间为10~20min，反应温度为室温。

3.根据权利要求1所述的一种Ag掺杂MnO2纳米阵列超级电容器材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中水浴加热的温度为70~90℃，加热反应的时间为72~98小时。

4.根据权利要求1所述的一种Ag掺杂MnO2纳米阵列超级电容器材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中退火处理的工艺条件为：在200~300℃下退火1~3h。