[发明专利]石墨烯辅助硅片湿法制绒的方法有效
| 申请号: | 201610167417.6 | 申请日: | 2016-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN105633180B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
| 发明(设计)人: | 华琪琪;吕铁铮 | 申请(专利权)人: | 湖南大学 |
| 主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司: | 长沙星耀专利事务所43205 | 代理人: | 宁星耀 |
| 地址: | 410082 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | 一种石墨烯辅助硅片湿法制绒的方法,包括以下步骤(1)制备悬浮液将石墨烯或者氧化石墨烯粉末加入到溶剂中,超声分散,形成悬浮液;(2)硅片浸泡;(3)预处理硅片将经步骤(1)处理后的悬浮液涂覆在硅片的表面,并进行烘干;(4)制绒将经步骤(3)处理后的硅片进行湿法化学腐蚀;(5)反射率测试对经步骤(4)处理后的硅片绒面进行全系太阳光谱的反射率测量,所述硅片绒面反射率≤20%。本发明还包括所述方法制备的硅片在光伏电池上的应用。本发明的方法进行硅片制绒使硅的腐蚀速率均匀,便于形成陷光结构,从而制得太阳光反射率低于20%的理想绒面,增加光的吸收,能够提高光伏电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词: | 石墨 辅助 硅片 湿法 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯辅助硅片湿法制绒的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)制备悬浮液:将石墨烯或者氧化石墨烯粉末加入到溶剂中,进行超声波分散,形成悬浮液,所述悬浮液中石墨烯或者氧化石墨烯浓度范围为0.00001‑100mg/ml,所述溶剂为水或酒精;(2)硅片浸泡:将待处理的硅片用氨水+双氧水的混合液进行浸泡;(3)预处理硅片:将经步骤(1)制备的悬浮液涂覆在经步骤(2)处理后的硅片表面,并进行烘干,即在所述硅片表面形成了厚度均匀的,但不连续的岛状石墨烯或者氧化石墨烯的薄层;(4)制绒:将经步骤(3)处理后的硅片进行湿法化学腐蚀,采用富硝酸体系腐蚀溶液对所述硅片进行腐蚀,得绒面,所述腐蚀溶液的成分按摩尔配比为H2O:HF:HNO3=(2‑3):1:(3‑3.5),腐蚀反应的温度为8‑10℃,腐蚀反应的时间为60‑90秒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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