[发明专利]一种超细晶Sc2O3掺杂W基复合材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610164870.1 申请日: 2016-03-21
公开(公告)号: CN105803285B 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 吴玉程;陈泓谕;罗来马;昝祥;朱晓勇;刘家琴 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: C22C27/04 分类号: C22C27/04;C22C1/05
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 代理人: 乔恒婷
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种超细晶Sc2O3掺杂W基复合材料及其制备方法,其中超细晶Sc2O3掺杂W基复合材料是由W和稀土氧化物Sc2O3组成,复合材料中Sc2O3的体积百分比为0.5‑2%,余量为W。本发明首先采用机械合金化球磨细化WO3/Sc2O3前驱体粉末,还原后得到W/Sc2O3复合粉体,利用放电等离子烧结试样组织细小的优势,得到晶粒细小的W/Sc2O3复合材料。本发明所制备的W/Sc2O3复合材料烧结样相对密度达96.0%以上,显微硬度达683.2Hv,W晶粒最小尺寸由原先的20μm降至9μm。
搜索关键词: 一种 超细晶 sc sub 掺杂 复合材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种超细晶Sc2O3掺杂W基复合材料的制备方法,包括机械合金化球磨、还原和放电等离子烧结各单元过程,其特征在于:所述机械合金化球磨是将WO3粉和Sc2O3粉置于球磨罐中湿磨40h,得到复合粉体前驱体,球料比为10:1,转速为400r/min;所述还原是将复合粉体前驱体研磨后放入管式中温烧结炉中,在H2气氛下烧结还原,得到W/Sc2O3复合粉体;还原后所得W/Sc2O3复合粉体粒径为150nm;所述放电等离子烧结是将W/Sc2O3复合粉体利用放电等离子烧结工艺,在加压、氩气气氛下烧结,得到高致密度的超细晶Sc2O3掺杂W基复合材料;所述超细晶Sc2O3掺杂W基复合材料中Sc2O3的体积百分比为0.5‑2%,余量为W。
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