[发明专利]一种超细晶Sc2O3掺杂W基复合材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610164870.1 申请日: 2016-03-21
公开(公告)号: CN105803285B 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 吴玉程;陈泓谕;罗来马;昝祥;朱晓勇;刘家琴 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: C22C27/04 分类号: C22C27/04;C22C1/05
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 代理人: 乔恒婷
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 超细晶 sc sub 掺杂 复合材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种超细晶Sc2O3掺杂W基复合材料的制备方法,包括机械合金化球磨、还原和放电等离子烧结各单元过程,其特征在于:

所述机械合金化球磨是将WO3粉和Sc2O3粉置于球磨罐中湿磨40h,得到复合粉体前驱体,球料比为10:1,转速为400r/min;

所述还原是将复合粉体前驱体研磨后放入管式中温烧结炉中,在H2气氛下烧结还原,得到W/Sc2O3复合粉体;还原后所得W/Sc2O3复合粉体粒径为150nm;

所述放电等离子烧结是将W/Sc2O3复合粉体利用放电等离子烧结工艺,在加压、氩气气氛下烧结,得到高致密度的超细晶Sc2O3掺杂W基复合材料;

所述超细晶Sc2O3掺杂W基复合材料中Sc2O3的体积百分比为0.5-2%,余量为W。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

机械合金化球磨过程中所述WO3粉粒径为200nm,Sc2O3粉粒径为3-15μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

所述复合粉体前驱体中Sc2O3粉的体积百分比为0.5-2%,余量为W。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

所述复合粉体前驱体的粒径为100nm。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

还原过程中所述烧结还原的工艺参数为:以5℃/min的升温速率升温至900℃保温1h,然后以5℃/min的降温速率降至500℃后随炉冷却至室温。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

还原过程中所述H2为纯度≥99.999%的氢气。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

放电等离子烧结过程中所述烧结工艺参数为:以100-120℃/min的升温速率依次升温至900℃保温5min、1350℃保温10min、1700℃保温3min,随后以100℃/min降至室温。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于:

从开始升温至900℃保温结束压强控制为15MPa,从900℃保温结束至冷却至室温压强控制为58MPa。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥工业大学,未经合肥工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610164870.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top