[发明专利]提高亚微米硅波导与普通单模光纤耦合效率的结构

摘要

本发明公开了一种提高亚微米硅波导与普通单模光纤耦合效率的结构。在该结构中，制作亚微米硅波导的基底材料为绝缘衬底上的硅晶片，其由下往上包含三层材料：衬底硅，埋氧层，顶层硅，其中埋氧层为掺杂的二氧化硅。在该晶片的顶层硅上通过光刻与刻蚀形成亚微米硅波导后，第一层掺杂的二氧化硅被淀积在该硅波导上方，将其完全包覆。该层掺杂的二氧化硅经过光刻与刻蚀后，在其上方再淀积第二层掺杂的二氧化硅。这样形成的二氧化硅波导作为与普通单模光纤的连接通道，可以减小亚微米硅波导与普通单模光纤耦合时的模场失配损耗和反射损耗，提高二者的耦合效率。

主权项

1.一种提高亚微米硅波导与普通单模光纤耦合效率的结构，其自下往上包括：衬底硅(301)，其为绝缘衬底上的硅晶片三层结构的最下层，材料组分为硅；埋氧层(302)，其为绝缘衬底上的硅晶片三层结构的中间层，材料组分为进行了掺杂的二氧化硅；顶层硅(303)，其为绝缘衬底上的硅晶片三层结构的最上层，材料组分为硅，经过光刻与刻蚀工艺形成波导结构，波导两端为倒锥型结构；第一层二氧化硅覆盖层(304)，其为通过淀积工艺形成的掺杂二氧化硅，覆盖在顶层硅波导之上，在其淀积后通过化学机械抛光进行平整化处理，然后通过光刻与刻蚀形成二氧化硅波导的芯层；第二层二氧化硅覆盖层(305)，其为通过淀积工艺形成的掺杂二氧化硅，覆盖在第一层二氧化硅之上，作为二氧化硅波导的上包层。