[发明专利]用于双极性阻变存储器的选择器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610158468.2 | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN107204397B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 刘明;罗庆;许晓欣;吕杭炳;龙世兵;刘琦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于双极性阻变存储器的选择器件及其制备方法，该方法包括：提供基底；在基底上方形成下电极；在下电极上方形成第一金属氧化物层；对第一金属氧化物层进行退火处理，以使下电极内的金属原子扩散进入第一金属氧化物层，形成掺杂有金属原子的第一金属氧化物层；在掺杂有金属原子的第一金属氧化物层上方形成第二金属氧化物层；在第二金属氧化物层上方形成上电极层；对上电极层进行图形化，形成上电极。通过该方法制成的选择器件能够提供较高的电流密度，与阻变存储器串联后形成的1S1R结构能够有效抑制阻变存储器阵列中的串扰现象。而且，该选择器件具有较高的选择比和耐久性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 极性 存储器 选择 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于双极性阻变存储器的选择器件制备方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成下电极，所述下电极的材料为特定金属，其中，组成所述特定金属的原子在400℃以下的退火条件下能够发生扩散；在所述下电极上方形成第一金属氧化物层；对所述第一金属氧化物层进行退火处理，以使所述下电极内的金属原子扩散进入第一金属氧化物层，形成掺杂有金属原子的第一金属氧化物层；在所述掺杂有金属原子的第一金属氧化物层上方形成第二金属氧化物层；在所述第二金属氧化物层上方形成上电极层；对所述上电极层进行图形化，形成上电极。
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