[发明专利]用于双极性阻变存储器的选择器件及其制备方法

权利要求书

1.一种用于双极性阻变存储器的选择器件制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成下电极，所述下电极的材料为特定金属，其中，组成所述特定金属的原子在400℃以下的退火条件下能够发生扩散；

在所述下电极上方形成第一金属氧化物层；

对所述第一金属氧化物层进行退火处理，以使所述下电极内的金属原子扩散进入第一金属氧化物层，形成掺杂有金属原子的第一金属氧化物层；

在所述掺杂有金属原子的第一金属氧化物层上方形成第二金属氧化物层；

在所述第二金属氧化物层上方形成上电极层；

对所述上电极层进行图形化，形成上电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属氧化物层或所述第二金属氧化物层的材料为HfO₂、Al₂O₃、TaO_x、TiO_x中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属氧化物层或所述第二金属氧化物层的厚度为2nm～4nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，退火处理时间为20～40min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，退火处理氛围为空气。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，退火处理温度在400℃以下。

7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述特定金属为铜、银或钛。

8.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述基底上设置有MOS管，所述MOS管包括源/漏极，所述在所述基底上形成下电极，具体包括：

通过光刻、刻蚀在MOS器件源/漏极上方形成栓孔；

在所述栓孔的四周形成扩散阻挡层；

向所述栓孔内填充特定金属，使特定金属铜填满整个所述栓孔，并在所述栓孔的上方形成特定金属层；

对所述特定金属层进行化学机械平坦化，形成金属栓塞，所述金属栓塞即为下电极。

9.一种用于双极性阻变存储器的选择器件，其特征在于，包括：

形成于基底上的下电极，所述下电极的材料为特定金属，其中，组成所述特定金属的原子在400℃以下的退火条件下能够发生扩散；

形成于所述下电极上方的掺杂有金属原子的第一金属氧化物层；

形成于所述掺杂有金属原子的第一金属氧化物层上方的第二金属氧化物层；

形成于所述第二金属氧化物层上方的上电极。

10.根据权利要求9所述的选择器件，其特征在于，所述第一金属氧化物层或所述第二金属氧化物层的材料为HfO₂、Al₂O₃、TaO_x、TiO_x中的至少一种。

11.根据权利要求9所述的选择器件，其特征在于，所述第一金属氧化物层或所述第二金属氧化物层的厚度为2nm～4nm。

12.根据权利要求9-11任一项所述的选择器件，其特征在于，所述特定金属为铜、银或钛。