[发明专利]一种监控外延层几何形状发生漂移的方法

摘要

本发明涉及监控外延层几何形状发生漂移的方法，在半导体层上形成第一、第二和第三沟槽，在半导体层上生长外延层，填充在第一、第二沟槽中但不填充第三沟槽，外延层因填充第一、第二沟槽而在外延层的上表面对应分别形成凹陷的第一、第二开口。经光刻在光刻胶层中形成与第一开口对准的第一窗口、与第二开口对准的第二窗口和与第三沟槽对准的第三窗口。测量第一开口的顶部中心和底部中心之间的第一偏移量，撷取第一开口的顶部相对于底部的偏移程度。测量第二开口的顶部中心或底部中心和第二窗口的中心之间的第二偏移量，测量第三沟槽的中心和第三窗口的中心之间的第三偏移量，由第二、第三偏移量之间的差值撷取第二开口的偏移程度。

主权项

一种监控外延层几何形状发生漂移的方法，其特征在于，包括：在晶圆的一个半导体层上形成第一、第二和第三沟槽；在半导体层上生长外延层，其填充在第一、第二沟槽中但不填充第三沟槽，其中外延层因填充第一、第二沟槽而在外延层的上表面对应分别形成凹陷的第一、第二开口；涂覆光刻胶层覆盖在外延长之上并同时覆盖住第一、第二开口和第三沟槽；经光刻工艺在光刻胶层中形成与第一开口对准的第一窗口、及形成与第二开口对准的第二窗口和形成与第三沟槽对准的第三窗口；测量第一开口的顶部中心和底部中心之间的第一偏移量，藉此撷取第一开口的顶部相对于底部的偏移程度；以及测量第二开口的顶部中心或底部中心和第二窗口的中心之间的第二偏移量，及测量第三沟槽的中心和第三窗口的中心之间的第三偏移量，藉由第二偏移量和第三偏移量之间的差值撷取第二开口的偏移程度。