[发明专利]一种监控外延层几何形状发生漂移的方法

权利要求书

1.一种监控外延层几何形状发生漂移的方法，其特征在于，包括：

在晶圆的一个半导体层上形成第一、第二和第三沟槽；

在半导体层上生长外延层，其填充在第一、第二沟槽中但不填充第三沟槽，其中外延层因填充第一、第二沟槽而在外延层的上表面对应分别形成凹陷的第一、第二开口；

涂覆光刻胶层覆盖在外延层之上并同时覆盖住第一、第二开口和第三沟槽；

经光刻工艺在光刻胶层中形成与第一开口对准的第一窗口、及形成与第二开口对准的第二窗口和形成与第三沟槽对准的第三窗口；

测量第一开口的顶部中心和底部中心之间的第一偏移量，藉此撷取第一开口的顶部相对于底部的偏移程度；以及

测量第二开口的顶部中心或底部中心和第二窗口的中心之间的第二偏移量，及测量第三沟槽的中心和第三窗口的中心之间的第三偏移量，藉由第二偏移量和第三偏移量之间的差值撷取第二开口的偏移程度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一、第二和第三沟槽均为方形。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第二沟槽的尺寸大于第一沟槽。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一窗口的尺寸大于第一开口，以完全将第一开口暴露在第一窗口中。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第二窗口的尺寸小于第二开口的尺寸，仅仅在第二窗口中暴露出第二开口底部的局部区域。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第三窗口的尺寸小于第三沟槽的尺寸，仅仅在第三窗口中暴露出第三沟槽底部的局部区域。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在生长外延层的步骤中，遮挡住第三沟槽，使得外延层填充在第一、第二沟槽中但不填充第三沟槽。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，晶圆的各个位置对应定义在一个坐标系的相应坐标点，藉由第二偏移量和第三偏移量之间的差值撷取第二开口相对于坐标系中一个指定坐标点的偏移程度。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，第一偏移量包括沿坐标系的第一坐标轴的偏移分量ΔD_TBX和沿坐标系的第二坐标轴的偏移分量ΔD_TBY，偏移分量ΔD_TBX是第一开口的顶部中心和底部中心在第一坐标轴上的距离，偏移分量ΔD_TBY是第一开口的顶部中心和底部中心在第二坐标轴上的距离。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，第二偏移量包括沿坐标系的第一坐标轴的偏移分量ΔX_(XO，YO)|_METRO和沿坐标系的第二坐标轴的偏移分量ΔY_(XO，YO)|_METRO，偏移分量ΔX_(XO，YO)|_METRO是第二开口的顶部中心或底部中心和第二窗口的中心在第一坐标轴上的距离，偏移分量ΔY_(XO，YO)|_METRO是第二开口的顶部中心或底部中心和第二窗口的中心在第二坐标轴上的距离；以及

第三偏移量包括沿坐标系的第一坐标轴的偏移分量ΔX_(XO，YO)|_REAL和沿坐标系的第二坐标轴的偏移分量ΔY_(XO，YO)|_REAL，偏移分量ΔX_(XO，YO)|_REAL是第三沟槽的中心和第三窗口的中心在第一坐标轴上的距离，偏移分量ΔY_(XO，YO)|_REAL是第三沟槽的中心和第三窗口的中心在第二坐标轴上的距离。