[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括基板、数据线、薄膜晶体管、绝缘层、扫描线、保护层、电极层。所述数据线、所述薄膜晶体管的源极的第一区块、所述薄膜晶体管的漏极的第三区块、所述电极层是由设置于所述基板上的第一金属层形成的；所述源极的第二区块、所述漏极的第四区块是由设置于所述第一金属层上的第二金属层形成的。所述第一区块和所述第二区块叠加组合为一体，所述第三区块和所述第四区块叠加组合为一体。本发明能降低其中的有机薄膜晶体管的成本，同时能降低所述有机薄膜晶体管中的源极和漏极的阻值。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列面板包括：基板；数据线，所述数据线是由第一金属层形成的，其中，所述第一金属层设置于所述基板上；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：源极，所述源极包括第一区块和第二区块，所述第一区块和所述第二区块叠加组合为一体，所述第一区块为所述第一金属层位于第一区域的部分，所述第二区块为第二金属层位于所述第一区域的部分，其中，所述第一区域为所述源极的位置所对应的区域，所述第二金属层设置于所述第一金属层上，所述源极与所述数据线连接；漏极，所述漏极包括第三区块和第四区块，所述第三区块和所述第四区块叠加组合为一体，所述第三区块为所述第一金属层位于第二区域的部分，所述第四区块为所述第二金属层位于所述第二区域的部分，其中，所述第二区域为所述漏极的位置所对应的区域；半导体层，所述半导体层覆盖于所述源极上、所述漏极上以及所述源极和所述漏极之间的间隙处；栅极；绝缘层，所述绝缘层覆盖所述数据线以及所述半导体层；扫描线，所述扫描线设置于所述绝缘层上，所述扫描线与所述栅极连接；保护层，所述保护层设置于所述扫描线以及所述绝缘层上；电极层，所述电极层是由所述第一金属层形成的，所述电极层与所述漏极连接；其中，所述栅极设置在所述绝缘层上；所述源极和所述漏极均由所述第一金属层和所述第二金属层构成；所述数据线、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层均是通过对所述第一金属层实施第一光罩制程和第一蚀刻制程来形成的；所述源极的所述第二区块和所述漏极的所述第四区块均是通过对经过所述第一光罩制程和所述第一蚀刻制程处理的所述第二金属层实施第二蚀刻制程来形成的；所述半导体层是通过在所述源极的至少一部分上、所述漏极的至少一部分上以及所述间隙处设置半导体材料，然后对所述半导体材料实施第二光罩制程来形成的。