[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列面板包括：

基板；

数据线，所述数据线是由第一金属层形成的，其中，所述第一金属层设置于所述基板上；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

源极，所述源极包括第一区块和第二区块，所述第一区块和所述第二区块叠加组合为一体，所述第一区块为所述第一金属层位于第一区域的部分，所述第二区块为第二金属层位于所述第一区域的部分，其中，所述第一区域为所述源极的位置所对应的区域，所述第二金属层设置于所述第一金属层上，所述源极与所述数据线连接；

漏极，所述漏极包括第三区块和第四区块，所述第三区块和所述第四区块叠加组合为一体，所述第三区块为所述第一金属层位于第二区域的部分，所述第四区块为所述第二金属层位于所述第二区域的部分，其中，所述第二区域为所述漏极的位置所对应的区域；

半导体层，所述半导体层覆盖于所述源极上、所述漏极上以及所述源极和所述漏极之间的间隙处；

栅极；

绝缘层，所述绝缘层覆盖所述数据线以及所述半导体层；

扫描线，所述扫描线设置于所述绝缘层上，所述扫描线与所述栅极连接；

保护层，所述保护层设置于所述扫描线以及所述绝缘层上；

电极层，所述电极层是由所述第一金属层形成的，所述电极层与所述漏极连接；

其中，所述栅极设置在所述绝缘层上；

所述源极和所述漏极均由所述第一金属层和所述第二金属层构成；

所述数据线、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层均是通过对所述第一金属层实施第一光罩制程和第一蚀刻制程来形成的；

所述源极的所述第二区块和所述漏极的所述第四区块均是通过对经过所述第一光罩制程和所述第一蚀刻制程处理的所述第二金属层实施第二蚀刻制程来形成的；

所述半导体层是通过在所述源极的至少一部分上、所述漏极的至少一部分上以及所述间隙处设置半导体材料，然后对所述半导体材料实施第二光罩制程来形成的。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述数据线、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层均是通过对覆盖于所述第二金属层上的光阻层实施所述第一光罩制程，以使所述光阻层图形化，然后分别利用第二金属蚀刻液和第一金属蚀刻液对所述第二金属层和所述第一金属层进行蚀刻来形成的；

所述源极的所述第二区块和所述漏极的所述第四区块均是通过对经过所述第一光罩制程的所述光阻层进行灰化处理，然后利用所述第二金属蚀刻液对所述第二金属层进行蚀刻，并去除所述第二金属层上的所述光阻层来形成的。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述栅极和所述扫描线均是通过在所述绝缘层上设置第三金属层，然后对所述第三金属层实施第三光罩制程来形成的。

4.一种如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

A、在所述基板上设置所述第一金属层和所述第二金属层；

B、在所述第一金属层中形成所述数据线、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层，以及在所述第二金属层中形成所述源极的所述第二区块和所述漏极的所述第四区块，其中，所述第二区块与所述第一区块叠加组合为一体，所述第四区块与所述第三区块叠加组合为一体，所述源极与所述数据线连接，所述漏极与所述电极层连接；

C、在所述源极上和所述漏极上以及所述源极和所述漏极之间的间隙处设置所述半导体层；

D、在所述数据线、所述半导体层上设置所述绝缘层；

E、在所述绝缘层上设置所述栅极、所述扫描线以及所述保护层，其中，所述扫描线与所述栅极连接。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板的制作方法，其特征在于，所述步骤B包括：

b1、对所述第一金属层和所述第二金属层实施第一光罩制程和第一蚀刻制程，以使所述第一金属层形成所述数据线、所述源极的所述第一区块、所述漏极的所述第三区块和所述电极层；

b2、对经过所述第一光罩制程和所述第一蚀刻制程处理的所述第二金属层实施第二蚀刻制程，以使所述第二金属层形成所述源极的所述第二区块和所述漏极的所述第四区块。