[发明专利]累崩型光检测器元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201610153622.7 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN107204383B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 谭宗涵;徐长生;林梦嘉;邱德煌 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/024;H01L31/107;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种累崩型光检测器元件及其制作方法。其中累崩型光检测器(avalanche photodetector，APD)元件，包含有一具有一正面与一背面的基底、至少一设置于该基底的该正面的APD结构、多个设置至于该基底的该背面的散热结构、以及多个设置于该基底的该背面的岛状反射结构。 | ||
| 搜索关键词： | 累崩型光 检测器 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种累崩型光感测器元件，包含有：基底，包含有一正面与一背面；至少一累崩型光感测器结构，设置于该基底的该正面；多个散热结构(heat sink)，设置至于该基底的该背面；以及多个岛状反射结构，设置于该基底的该背面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
