[发明专利]累崩型光检测器元件及其制作方法

权利要求书

1.一种累崩型光感测器元件，包含有：

基底，包含有一正面与一背面；

至少一累崩型光感测器结构，设置于该基底的该正面；

多个散热结构(heat sink)，设置至于该基底的该背面；以及

多个岛状反射结构，设置于该基底的该背面。

2.如权利要求1所述的累崩型光感测器元件，其中该多个散热结构包含一半导体材料，而该多个岛状反射结构包含有金属材料。

3.如权利要求2所述的累崩型光感测器元件，其中该半导体材料与至少部分该基底相同。

4.如权利要求1所述的累崩型光感测器元件，其中该多个散热结构包含有同心圆图案、放射状图案、或网孔(mesh)图案。

5.如权利要求1所述的累崩型光感测器元件，其中该多个岛状反射结构通过该多个散热结构彼此分离。

6.如权利要求1所述的累崩型光感测器元件，其中该多个散热结构的一厚度大于该多个岛状反射结构的一厚度。

7.如权利要求1所述的累崩型光感测器元件，还包含多个凹槽，定义于该多个散热结构之间。

8.如权利要求7所述的累崩型光感测器元件，其中该多个岛状反射结构分别设置于该多个凹槽的底部。

9.如权利要求8所述的累崩型光感测器元件，还包含多个反射层，形成于该多个凹槽的侧壁与该多个散热结构的顶部表面。

10.如权利要求9所述的累崩型光感测器元件，其中该多个反射层接触该多个岛状反射结构，以形成一连续性反射膜。

11.如权利要求1所述的累崩型光感测器元件，其中该累崩型光感测器结构包含有至少一n型掺杂半导体层、一本质(intrinsic)半导体层、一p型掺杂半导体层、以及一外延半导体层。

12.一种累崩型光感测器元件的制作方法，包含有：

提供一基底，该基底包含有一正面与一背面；

于该基底的该正面形成一累崩型光感测器结构；

图案化该基底的该背面，以于该基底的该背面形成多个散热结构，以及形成于该多个散热结构之间的多个凹槽；以及

形成多个岛状反射结构，且该多个岛状反射结构分别形成于该多个凹槽的底部。

13.如权利要求12所述的累崩型光感测器元件的制作方法，其中形成该累崩型光感测器结构的步骤还包含：

于该基底的该正面形成一半导体平台(mesa)；以及

于该半导体平台上形成一外延半导体层。

14.如权利要求13所述的累崩型光感测器元件的制作方法，其中该半导体平台包含有至少一n型掺杂半导体层、一本质半导体层、以及一p型掺杂半导体层。

15.如权利要求12所述的累崩型光感测器元件的制作方法，还包含以下步骤，进行于形成该累崩型光感测器结构之后：

于该基底的该正面形成一覆盖该累崩型光感测器结构的介电层；

于该介电层内形成多个导电结构，且该多个导电结构与该累崩型光感测器结构电连接；以及

于该基底的该正面形成一抗反射(anti-reflection)层。

16.如权利要求12所述的累崩型光感测器元件的制作方法，其中该多个散热结构包含一半导体材料，而该多个岛状反射结构包含有金属材料。

17.如权利要求12所述的累崩型光感测器元件的制作方法，其中该多个散热结构包含有同心圆图案、放射状图案、或网孔图案。