[发明专利]横向扩散场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种横向扩散场效应晶体管，包括：在第一导电类型掺杂的漂移区中形成有第二导电类型掺杂的埋层，埋层分成具有不同浓度和不同深度的多个埋层段；各相邻两个埋层段在纵向上相互错位，使沟道区和漂移区之间的JFET效应降低，用以提高器件导通时漂移区的电流导通区域；最靠近沟道区的埋层段的掺杂浓度大于其它埋层段的掺杂浓度，且最靠近沟道区的埋层段的掺杂浓度使沟道区侧面附件漂移区能在漏端电压的初始阶段被充分耗尽。本发明还公开了一种横向扩散场效应晶体管的制造方法。本发明能防止低电压击穿、提高击穿电压，能增加漏电流的导通区域、降低器件的导通电阻。

主权项

1.一种横向扩散场效应晶体管，其特征在于，包括：第一导电类型掺杂的漂移区，形成于第二导电类型半导体衬底中；第二导电类型掺杂的沟道区，形成于所述半导体衬底中；所述沟道区和所述漂移区侧面接触且所述漂移区将所述沟道区包围；在所述漂移区中形成有第二导电类型掺杂的埋层，所述埋层分成具有不同浓度和不同深度的多个埋层段；各相邻两个所述埋层段的深度不同从而在纵向上相互错位，使所述沟道区和所述漂移区之间的JFET效应降低，用以提高器件导通时所述漂移区的电流导通区域，所述埋层中具有深度大于所述沟道区的深度的埋层段，使所述电流导通区域延伸到深度大于所述沟道区的所述漂移区中；最靠近所述沟道区的埋层段的掺杂浓度大于所述埋层的其它埋层段的掺杂浓度，且最靠近所述沟道区的埋层段的掺杂浓度使所述沟道区侧面和该侧面相邻的所述埋层段之间的所述漂移区能在漏端电压的初始阶段被充分耗尽；最靠近所述沟道区的埋层段的深度大于所述沟道区的深度。