[发明专利]横向扩散场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种横向扩散场效应晶体管，其特征在于，包括：

第一导电类型掺杂的漂移区，形成于第二导电类型半导体衬底中；

第二导电类型掺杂的沟道区，形成于所述半导体衬底中；所述沟道区和所述漂移区侧面接触且所述漂移区将所述沟道区包围；

在所述漂移区中形成有第二导电类型掺杂的埋层，所述埋层分成具有不同浓度和不同深度的多个埋层段；

各相邻两个所述埋层段的深度不同从而在纵向上相互错位，使所述沟道区和所述漂移区之间的JFET效应降低，用以提高器件导通时所述漂移区的电流导通区域，所述埋层中具有深度大于所述沟道区的深度的埋层段，使所述电流导通区域延伸到深度大于所述沟道区的所述漂移区中；

最靠近所述沟道区的埋层段的掺杂浓度大于所述埋层的其它埋层段的掺杂浓度，且最靠近所述沟道区的埋层段的掺杂浓度使所述沟道区侧面和该侧面相邻的所述埋层段之间的所述漂移区能在漏端电压的初始阶段被充分耗尽；最靠近所述沟道区的埋层段的深度大于所述沟道区的深度。

2.如权利要求1所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于：所述漂移区由深阱组成，各所述埋层段通过离子注入实现，通过调节离子注入的能量调节各所述埋层段的深度，通过调节离子注入的剂量调节各所述埋层段的掺杂浓度。

3.如权利要求1所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于：所述漂移区由外延层组成，所述漂移区的外延层通过多次外延生长形成，各所述埋层段在和其深度相对应的外延生长后在外延表面进行离子注入形成，通过调节离子注入的剂量调节各所述埋层段的掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于：各相邻两个所述埋层段在纵向上相互错位组成的所述埋层结构使器件导通时整个深度范围内的所述漂移区都为电流导通区域。

5.如权利要求1所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于：最靠近所述沟道区的埋层段之外的其它埋层段的掺杂浓度相同或者不相同。

6.如权利要求1至5中任一权利要求所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于：横向扩散场效应晶体管为N型器件，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

7.如权利要求1至5中任一权利要求所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于：横向扩散场效应晶体管为P型器件，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

8.如权利要求1至5中任一权利要求所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于，横向扩散场效应晶体管还包括：

形成于所述半导体衬底上方的多晶硅栅，所述多晶硅栅和所述半导体衬底表面隔离有栅介质层，在横向上所述多晶硅栅从所述沟道区上方延伸到所述漂移区上方，被所述多晶硅栅覆盖的所述沟道区表面用于形成沟道；所述多晶硅栅的第一侧面位于所述沟道区上方、第二侧面位于所述漂移区上方；

第一导电类型重掺杂的源区和漏区，所述源区形成于所述沟道区中并和所述多晶硅栅的第一侧面自对准，所述漏区形成于所述漂移区中。

9.如权利要求8所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于,所述横向扩散场效应晶体管还包括：

第二导电类型重掺杂的沟道引出区，所述沟道引出区形成于所述沟道区中并用于将所述沟道区引出，所述沟道引出区和所述源区横向接触。

10.如权利要求8所述的横向扩散场效应晶体管，其特征在于,所述横向扩散场效应晶体管还包括：

场氧，位于所述沟道区和所述漏区之间的所述漂移区上方，所述场氧的第二侧和所述漏区横向接触，所述场氧的第一侧和所述沟道区相隔一段距离；所述多晶硅栅延伸到所述场氧上方。