[发明专利]薄膜晶体管及制造方法、阵列基板及制造方法、显示装置在审
| 申请号: | 201610133484.6 | 申请日: | 2016-03-09 |
| 公开(公告)号: | CN105742186A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
| 发明(设计)人: | 郭会斌;张小祥;王静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/311;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明涉及显示技术领域,公开了一种薄膜晶体管及制造方法、阵列基板及制造方法、显示装置。所述薄膜晶体管的制造方法通过在有源层上方形成保护层,从而在刻蚀形成源漏电极时保护有源层免受刻蚀液的腐蚀。在刻蚀源漏金属层材料时,去除源漏电极之间区域的源漏金属材料,露出保护层,从而在最后剥离源漏电极上方光刻胶时一并去除保护层,从而使所述保护层去除的更彻底,避免了残留的保护层材料对薄膜晶体管特性的影响。 | ||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 制造 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,包括:在有源层上方形成保护层、源漏金属层,在源漏金属层上涂覆光刻胶并形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域,其中光刻胶保留区域对应待形成源漏电极的区域,光刻胶不保留区域对应其他区域;刻蚀掉光刻胶不保留区域的源漏金属层,形成源漏电极,露出有源层上方的所述保护层;同时去除所述保护层和源漏电极上方的光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





