[发明专利]薄膜晶体管及制造方法、阵列基板及制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在有源层上方形成保护层、源漏金属层，在源漏金属层上涂覆光刻胶并形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，其中光刻胶保留区域对应待形成源漏电极的区域，光刻胶不保留区域对应其他区域；

刻蚀掉光刻胶不保留区域的源漏金属层，形成源漏电极，露出有源层上方的所述保护层；

同时去除所述保护层和源漏电极上方的光刻胶。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述保护层为正性光刻胶或负性光刻胶。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度为

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度为

5.如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成有源层的方法包括：

形成半导体层；

在所述半导体层上涂覆光刻胶，并形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶不保留区域，其中所述光刻胶完全保留区域对应待形成的源漏电极之间的区域，所述光刻胶部分保留区域对应有源层上方待形成源漏电极的区域，所述光刻胶不保留区域对应有源层区域以外的区域；

采用刻蚀工艺刻蚀光刻胶不保留区域的半导体层；

采用灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述有源层上方形成欧姆接触层。

7.如权利要求5或6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述有源层之前依次形成位于所述有源层下方的栅极和栅绝缘层。

8.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管根据权利要求1-7任意一项所述的薄膜晶体管的制造方法制造。

9.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管的制造方法。

10.如权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成有源层之前还包括：

依次形成位于所述有源层下方的栅极和栅绝缘层；

在形成所述源漏电极之后还包括：

形成位于所述源漏电极上的钝化层，以及位于所述钝化层上的第一导电层。

11.如权利要求10所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成所述栅极在构图工艺中同步形成第二导电层。

12.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板根据权利要求9-11任一项所述的阵列基板的制造方法制备。

13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求12所述的阵列基板。