[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201610128773.7 | 申请日： | 2016-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN105742430A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 贾伟;赵晨;李天保;余春燕;许并社 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/18;H01L33/22;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明所述的一种LED外延结构，包括衬底，依次层叠形成在所述衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、双异质结层以及P型GaN层；还包括设置在所述N型GaN层与所述双异质结层之间的SiNx层，所述SiNx层形成有若干贯通的纳米孔洞。由于SiNx层具有纳米多孔结构，能有效降低双异质结层形成的有源区的位错密度，从而减少有源区的非辐射复合中心，提高所述LED外延结构的内量子效率。另外，原位生长的具有纳米多孔结构的SiNx层还能减小光的全反射损失，提高所述LED外延结构的出光效率。本发明所述LED外延结构的制备方法简单易实施，不但工艺成本低，而且能够有效保证产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延结构，包括衬底，依次层叠形成在所述衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、双异质结层以及P型GaN层；其特征在于：还包括设置在所述N型GaN层与所述双异质结层之间的SiNx层。
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