[发明专利]湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法有效
| 申请号： | 201610128624.0 | 申请日： | 2016-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN105742213B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 薛大鹏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法，该湿法刻蚀设备包括：金属离子浓度调节装置，用于调节刻蚀液中金属离子的浓度；喷淋装置，所述喷淋装置与所述金属离子浓度调节装置相连，所述喷淋装置用于喷洒所述刻蚀液。本发明提供的湿法刻蚀设备可以避免刻蚀液中金属离子浓度的变化对刻蚀速率的影响，有效提高刻蚀稳定性，进而提升产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种湿法刻蚀设备，其特征在于，包括：金属离子浓度调节装置，用于调节刻蚀液中金属离子的浓度；所述金属离子浓度调节装置包括金属离子提供源，所述金属离子提供源包括金属材料，刻蚀液通过与所述金属材料接触并发生化学反应以调节刻蚀液中金属离子的浓度；喷淋装置，所述喷淋装置与所述金属离子浓度调节装置相连，所述喷淋装置用于喷洒所述刻蚀液；控制装置，所述控制装置用于控制所述金属离子浓度调节装置调节刻蚀液中金属离子的浓度，使刻蚀液中金属离子的浓度达到预设值，而后将调节后的刻蚀液通过所述喷淋装置喷洒至待刻蚀金属上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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